F半导体公司应用六西格玛理论对测试良品率的改进
| 中文摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 选题背景 | 第8页 |
| 1.2 本文研究的目的及意义 | 第8-9页 |
| 1.3 本文研究的思路与结构 | 第9-10页 |
| 1.4 半导体行业需求分析 | 第10-12页 |
| 第二章 六西格玛理论知识 | 第12-15页 |
| 2.1 六西格玛的基本理论 | 第12-13页 |
| 2.2 六西格玛与项目管理 | 第13-14页 |
| 2.3 六西格玛发展现状 | 第14-15页 |
| 第三章 项目界定 | 第15-21页 |
| 3.1 项目背景 | 第15页 |
| 3.2 项目目标 | 第15-16页 |
| 3.3 项目目标与公司战略目标的一致性 | 第16页 |
| 3.4 项目团队建设 | 第16-17页 |
| 3.5 项目范围 | 第17-19页 |
| 3.6 项目财政收益和时间表 | 第19-21页 |
| 第四章 测量阶段 | 第21-30页 |
| 4.1 半导体制造流程 | 第21-23页 |
| 4.2 半导体测试原理 | 第23-24页 |
| 4.2.1 关于半导体电性测试 | 第23-24页 |
| 4.2.2 静态电流测试原理 | 第24页 |
| 4.3 静态电流测试数据的过程能力检验 | 第24-25页 |
| 4.4 因果图 | 第25-27页 |
| 4.5 测量工具的重复性和再现性 | 第27-30页 |
| 第五章 分析阶段 | 第30-40页 |
| 5.1 低良品率可能性的分析 | 第30页 |
| 5.2 电性测试的目的 | 第30-31页 |
| 5.3 电性测试结果分析 | 第31-36页 |
| 5.3.1 静态电流值关于频率的分析 | 第32-33页 |
| 5.3.2 频率的相关性分析 | 第33-34页 |
| 5.3.3 温度相关性的验证 | 第34-35页 |
| 5.3.4 模块相关性的验证 | 第35-36页 |
| 5.4 单因子假设检验 | 第36页 |
| 5.5 单因子假设检验结果 | 第36-38页 |
| 5.6 静态电流值分析的结论 | 第38-40页 |
| 第六章 改进阶段 | 第40-45页 |
| 6.1 改进计划 | 第40-41页 |
| 6.2 矩阵晶圆验证因子的方法 | 第41页 |
| 6.3 矩阵晶圆验证因子的结果 | 第41-42页 |
| 6.4 矩阵晶圆测量数据的分析结果 | 第42-43页 |
| 6.5 矩阵晶圆测量数据的分析结论 | 第43-45页 |
| 第七章 控制阶段 | 第45-47页 |
| 7.1 电流测试的控制 | 第45页 |
| 7.2 改进后良品率和失效率的控制 | 第45-47页 |
| 第八章 项目总结 | 第47-49页 |
| 8.1 研究总结 | 第47-48页 |
| 8.2 研究展望 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
