L-波段高速低啁啾直接调制激光器的研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 本文主要内容及预期成果 | 第12-14页 |
| 2 高速光接入网中的光源器件 | 第14-27页 |
| 2.1 电吸收调制激光器 | 第14-16页 |
| 2.2 啁啾管理激光器 | 第16-17页 |
| 2.3 基于DFB结构的直接调制激光器 | 第17-23页 |
| 2.4 减小半导体激光器线宽的方法 | 第23-26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 3 量子阱材料增益模型 | 第27-40页 |
| 3.1 量子阱的态密度 | 第27-28页 |
| 3.2 量子阱的应变 | 第28-29页 |
| 3.3 量子阱能带结构 | 第29-35页 |
| 3.4 材料增益与线宽展宽因子 | 第35-38页 |
| 3.5 本章小结 | 第38-40页 |
| 4 量子阱有源区参数优化 | 第40-46页 |
| 4.1 阱区应变量与带隙波长的优化 | 第41-42页 |
| 4.2 阱宽的优化 | 第42-43页 |
| 4.3 垒区带隙波长的优化 | 第43-44页 |
| 4.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 5 实验及结论 | 第46-59页 |
| 5.1 芯片静态性能测试 | 第46-47页 |
| 5.2 芯片高速系统性能测试 | 第47-49页 |
| 5.3 实验结果 | 第49-54页 |
| 5.4 激光器芯片加速老化实验 | 第54-58页 |
| 5.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 6 总结与展望 | 第59-61页 |
| 6.1 全文总结 | 第59-60页 |
| 6.2 课题展望 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间发表论文目录 | 第67页 |
