| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 MOSFET缩小比例 | 第9-10页 |
| 1.3 MOSFET的简介 | 第10-11页 |
| 1.4 当前氧化层等比例缩小的趋势 | 第11-12页 |
| 1.5 二氧化硅栅介质的局限性 | 第12-13页 |
| 1.6 高介电常数材料的发展动力 | 第13-14页 |
| 1.7 高介电常数材料的选取 | 第14-15页 |
| 1.8 本论文的研究内容和研究意义 | 第15-17页 |
| 第二章 实验的表征技术及理论 | 第17-23页 |
| 2.1 X-Ray Diffraction | 第17-18页 |
| 2.2 Fourier Transform Infrared Spectroscopy | 第18页 |
| 2.3 Atomic Force Microscope | 第18-19页 |
| 2.4 Scanning Electron Microscopy | 第19-20页 |
| 2.5 UV-Vis absorption Spectrometer | 第20页 |
| 2.6 Spectroscopic Ellipsometer | 第20-23页 |
| 第三章 溅射功率对氧化铪薄膜的结构和光学性质的影响 | 第23-38页 |
| 3.1 氧化铪栅介质薄膜的制备 | 第23-25页 |
| 3.1.1 高真空物理沉积系统 | 第23-24页 |
| 3.1.2 溅射靶材 | 第24页 |
| 3.1.3 基底的清洗 | 第24-25页 |
| 3.2 不同溅射功率下的氧化铪薄膜性能的研究 | 第25-38页 |
| 3.2.1 实验条件和改变的参数 | 第25页 |
| 3.2.2 氧化铪薄膜的XRD分析 | 第25-26页 |
| 3.2.3 氧化拾薄膜的AFM分析 | 第26-27页 |
| 3.2.4 氧化铪薄膜的FTIR分析 | 第27-29页 |
| 3.2.5 氧化铪薄膜的UV-Vis测试 | 第29-31页 |
| 3.2.6 氧化铪薄膜的SE | 第31-37页 |
| 3.2.7 小结 | 第37-38页 |
| 第四章 退火温度对氧化铪薄膜的结构和光学性质的影响 | 第38-48页 |
| 4.1 氧化铪薄膜的制备 | 第38-39页 |
| 4.1.1 沉积后退火的装置 | 第38页 |
| 4.1.2 溅射靶材 | 第38-39页 |
| 4.1.3 基底的清洗 | 第39页 |
| 4.2 退火温度的改变对氧化铪薄膜的性能的研究 | 第39-48页 |
| 4.2.1 实验条件和改变的参数 | 第39页 |
| 4.2.2 氧化铪薄膜的XRD分析 | 第39-40页 |
| 4.2.3 氧化铪薄膜的FTIR | 第40-41页 |
| 4.2.4 氧化铪薄膜的AFM | 第41-42页 |
| 4.2.5 氧化铪薄膜的透射谱 | 第42-43页 |
| 4.2.6 氧化铪薄膜的光学禁带宽度 | 第43-44页 |
| 4.2.7 氧化給薄膜的SE | 第44-47页 |
| 4.2.8 实验小结 | 第47-48页 |
| 第五章 氧氩分压比对氧化铪薄膜的结构和光学性质的影响 | 第48-55页 |
| 5.1 实验条件和改变的参数 | 第48页 |
| 5.2 氧化铪薄膜的XRD分析 | 第48-50页 |
| 5.3 氧化铪薄膜的FTIR | 第50-51页 |
| 5.4 氧化铪薄膜的AFM和SEM | 第51-52页 |
| 5.5 氧化铪薄膜的UV-Vis | 第52-53页 |
| 5.6 氧化铪薄膜的SE分析 | 第53-54页 |
| 5.7 实验小结 | 第54-55页 |
| 第六章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 6.1 研究总结 | 第55-56页 |
| 6.1.1 磁控溅射功率依赖的氧化铪薄膜的结构和光学性质 | 第55页 |
| 6.1.2 退火温度依赖的氧化铪薄膜的结构和光学性质 | 第55-56页 |
| 6.1.3 不同氧氩分压依赖的氧化铪薄膜的结构和光学性质 | 第56页 |
| 6.2 有待深入研究的问题 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-66页 |
| 附录：攻读硕士期间发表的论文 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
