| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 研究背景 | 第10页 |
| 1.2 透明导电薄膜的分类及其基本特性 | 第10-13页 |
| 1.2.1 金属透明导电薄膜 | 第10-11页 |
| 1.2.2 宽禁带半导体透明导电薄膜 | 第11-12页 |
| 1.2.3 有机高分子透明导电薄膜 | 第12页 |
| 1.2.4 金属基复合结构透明导电薄膜 | 第12-13页 |
| 1.3 透明导电薄膜的应用 | 第13-14页 |
| 1.4 金属氧化物半导体透明导电薄膜的研究现状 | 第14-18页 |
| 1.4.1 SnO_2透明导电薄膜及其掺杂研究 | 第14-15页 |
| 1.4.2 In_2O_3透明导电薄膜及其掺杂研究 | 第15-16页 |
| 1.4.3 ZnO透明导电薄膜及其掺杂研究 | 第16-17页 |
| 1.4.4 Ga_2O_3透明导电薄膜及其掺杂研究 | 第17-18页 |
| 1.5 金属基复合结构透明导电薄膜的研究现状 | 第18-19页 |
| 1.6 本文主要研究内容及研究意义 | 第19-21页 |
| 2 薄膜制备与表征技术 | 第21-30页 |
| 2.1 制备方法及原理 | 第21-26页 |
| 2.1.1 电子束蒸发 | 第21页 |
| 2.1.2 分子束外延 | 第21页 |
| 2.1.3 脉冲激光沉积 | 第21-22页 |
| 2.1.4 溶胶-凝胶法 | 第22-23页 |
| 2.1.5 MOCVD | 第23-24页 |
| 2.1.6 磁控溅射 | 第24-26页 |
| 2.2 表征手段及原理 | 第26-30页 |
| 2.2.1 X射线光电子能谱分析(XPS) | 第26页 |
| 2.2.2 X射线衍射(XRD) | 第26-28页 |
| 2.2.3 金相显微镜 | 第28页 |
| 2.2.4 霍尔测试仪(Hall tester) | 第28页 |
| 2.2.5 紫外-可见-红外双光束分光光度计 | 第28-30页 |
| 3 镓砷氧化物-Ag-镓砷氧化物多层膜的制备及特性研究 | 第30-43页 |
| 3.1 金属薄膜厚度与其光电特性的理论关系 | 第30-32页 |
| 3.2 金属Ag薄膜的制备 | 第32-33页 |
| 3.3 金属Ag薄膜的结构形貌与光电性质分析 | 第33-37页 |
| 3.3.1 Ag薄膜的结构分析 | 第33-34页 |
| 3.3.2 Ag薄膜的表面形貌分析 | 第34-35页 |
| 3.3.3 Ag薄膜的光学性质分析 | 第35-36页 |
| 3.3.4 Ag薄膜的电学性质分析 | 第36-37页 |
| 3.4 镓砷氧化物薄膜的制备及其光电性质分析 | 第37-39页 |
| 3.4.1 镓砷氧化物薄膜的制备 | 第37-38页 |
| 3.4.2 镓砷氧化物薄膜的XPS定性分析 | 第38页 |
| 3.4.3 镓砷氧化物薄膜的光电性质分析 | 第38-39页 |
| 3.5 镓砷氧化物-Ag-镓砷氧化物多层膜的制备及其光电性质分析 | 第39-41页 |
| 3.5.1 稼碑氧化物-Ag-镓神氧化物多层膜的制备 | 第39-40页 |
| 3.5.2 镓砷氧化物-Ag-镓砷氧化物多层膜的光学性质分析 | 第40页 |
| 3.5.3 镓碑氧化物-Ag-稼神氧化物多层膜的电学性质分析 | 第40-41页 |
| 3.6 本章小结 | 第41-43页 |
| 4 热退火对镓砷氧化物-Ag-镓砷氧化物多层透明导电膜的影响 | 第43-47页 |
| 4.1 退火对Ag薄膜结构及光电性质的影响 | 第43-45页 |
| 4.1.1 退火对Ag薄膜结构的影响 | 第43-44页 |
| 4.1.2 退火对Ag薄膜光电性质的影响 | 第44-45页 |
| 4.2 Ag层退火对多层结构光电性质的影响 | 第45-46页 |
| 4.3 本章小结 | 第46-47页 |
| 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
