| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 课题背景 | 第9页 |
| 1.2 SiC的结构 | 第9-11页 |
| 1.2.1 SiC的晶体结构 | 第9-11页 |
| 1.2.2 SiC的非晶态结构 | 第11页 |
| 1.3 SiC的性能及应用 | 第11-12页 |
| 1.4 磁控溅射制备SiC薄膜的研究现状 | 第12-14页 |
| 1.5 本论文的研究内容 | 第14-16页 |
| 2 薄膜的制备与表征方法 | 第16-27页 |
| 2.1 磁控溅射镀膜原理 | 第16-17页 |
| 2.2 MW-ECR等离子体非平衡磁控溅射系统 | 第17-20页 |
| 2.2.1 微波电子回旋共振等离子体源的原理及特点 | 第17-18页 |
| 2.2.2 MW-ECR等离子体非平衡磁控溅射装置 | 第18-20页 |
| 2.3 (富硅)SiC薄膜的制备流程 | 第20-22页 |
| 2.3.1 实验前的准备 | 第20-21页 |
| 2.3.2 实验过程 | 第21-22页 |
| 2.4 薄膜的测试与表征方法 | 第22-27页 |
| 2.4.1 台阶仪 | 第22页 |
| 2.4.2 傅里叶变换红外吸收光谱 | 第22-23页 |
| 2.4.3 X射线光电子能谱 | 第23-25页 |
| 2.4.4 纳米硬度仪 | 第25-27页 |
| 3 利用单晶硅靶和石墨靶制备富硅SiC薄膜 | 第27-41页 |
| 3.1 室温无偏压条件下溅射功率对SiC薄膜的影响 | 第27-31页 |
| 3.1.1 Si靶溅射功率对SiC薄膜的化学结构的影响 | 第27-28页 |
| 3.1.2 C朗滅射功率对SiC薄膜的化学结构的影响 | 第28-29页 |
| 3.1.3 室温无偏压条件下薄膜的XPS分析 | 第29-31页 |
| 3.2 沉积温度对富硅SiC薄膜的影响 | 第31-34页 |
| 3.2.1 沉积温度对富硅SiC薄膜的沉积速率的影响 | 第32-33页 |
| 3.2.2 沉积温度对富硅SiC薄膜的化学结构的影响 | 第33-34页 |
| 3.2.3 不同沉积温度下的薄膜的化学成分 | 第34页 |
| 3.3 沉积偏压对富硅SiC薄膜的影响 | 第34-37页 |
| 3.3.1 沉积偏压对薄膜沉积速率的影响 | 第35-36页 |
| 3.3.2 沉积偏压对薄膜化学结构的影响 | 第36-37页 |
| 3.3.3 不同沉积偏压下的薄膜化学成分 | 第37页 |
| 3.4 真空退火对富硅SiC薄膜的影响 | 第37-40页 |
| 3.4.1 退火温度对富娃SiC薄膜的化学结构的影响 | 第38-39页 |
| 3.4.2 退火温度对富硅SiC薄膜的硬度的影响 | 第39-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 4 富硅SiC薄膜和SiC薄膜的高温抗氧化性 | 第41-51页 |
| 4.1 SiC薄膜的制备 | 第42-44页 |
| 4.1.1 溅射功率对SiC薄膜的沉积速率的影响 | 第42-43页 |
| 4.1.2 溅射功率对SiC薄膜的化学结构的影响 | 第43-44页 |
| 4.2 富硅SiC及SiC薄膜的高温抗氧化性 | 第44-48页 |
| 4.2.1 红外分析 | 第44-47页 |
| 4.2.2 硬度分析 | 第47-48页 |
| 4.3 沉积偏压及沉积温度对富硅SiC薄膜的高温抗氧化性的影响 | 第48-50页 |
| 4.3.1 基底温度及基底偏压对富硅SiC薄膜的FT-IR分析 | 第49-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 结论 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
