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碳化硅基抗高温氧化薄膜的制备与表征

摘要第4-5页
Abstract第5页
1 绪论第9-16页
    1.1 课题背景第9页
    1.2 SiC的结构第9-11页
        1.2.1 SiC的晶体结构第9-11页
        1.2.2 SiC的非晶态结构第11页
    1.3 SiC的性能及应用第11-12页
    1.4 磁控溅射制备SiC薄膜的研究现状第12-14页
    1.5 本论文的研究内容第14-16页
2 薄膜的制备与表征方法第16-27页
    2.1 磁控溅射镀膜原理第16-17页
    2.2 MW-ECR等离子体非平衡磁控溅射系统第17-20页
        2.2.1 微波电子回旋共振等离子体源的原理及特点第17-18页
        2.2.2 MW-ECR等离子体非平衡磁控溅射装置第18-20页
    2.3 (富硅)SiC薄膜的制备流程第20-22页
        2.3.1 实验前的准备第20-21页
        2.3.2 实验过程第21-22页
    2.4 薄膜的测试与表征方法第22-27页
        2.4.1 台阶仪第22页
        2.4.2 傅里叶变换红外吸收光谱第22-23页
        2.4.3 X射线光电子能谱第23-25页
        2.4.4 纳米硬度仪第25-27页
3 利用单晶硅靶和石墨靶制备富硅SiC薄膜第27-41页
    3.1 室温无偏压条件下溅射功率对SiC薄膜的影响第27-31页
        3.1.1 Si靶溅射功率对SiC薄膜的化学结构的影响第27-28页
        3.1.2 C朗滅射功率对SiC薄膜的化学结构的影响第28-29页
        3.1.3 室温无偏压条件下薄膜的XPS分析第29-31页
    3.2 沉积温度对富硅SiC薄膜的影响第31-34页
        3.2.1 沉积温度对富硅SiC薄膜的沉积速率的影响第32-33页
        3.2.2 沉积温度对富硅SiC薄膜的化学结构的影响第33-34页
        3.2.3 不同沉积温度下的薄膜的化学成分第34页
    3.3 沉积偏压对富硅SiC薄膜的影响第34-37页
        3.3.1 沉积偏压对薄膜沉积速率的影响第35-36页
        3.3.2 沉积偏压对薄膜化学结构的影响第36-37页
        3.3.3 不同沉积偏压下的薄膜化学成分第37页
    3.4 真空退火对富硅SiC薄膜的影响第37-40页
        3.4.1 退火温度对富娃SiC薄膜的化学结构的影响第38-39页
        3.4.2 退火温度对富硅SiC薄膜的硬度的影响第39-40页
    3.5 本章小结第40-41页
4 富硅SiC薄膜和SiC薄膜的高温抗氧化性第41-51页
    4.1 SiC薄膜的制备第42-44页
        4.1.1 溅射功率对SiC薄膜的沉积速率的影响第42-43页
        4.1.2 溅射功率对SiC薄膜的化学结构的影响第43-44页
    4.2 富硅SiC及SiC薄膜的高温抗氧化性第44-48页
        4.2.1 红外分析第44-47页
        4.2.2 硬度分析第47-48页
    4.3 沉积偏压及沉积温度对富硅SiC薄膜的高温抗氧化性的影响第48-50页
        4.3.1 基底温度及基底偏压对富硅SiC薄膜的FT-IR分析第49-50页
    4.4 本章小结第50-51页
结论第51-53页
参考文献第53-57页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第57-58页
致谢第58-59页

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