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基于高阶光栅的高功率单纵模半导体激光器研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
目录第9-12页
第1章 绪论第12-26页
    1.1 半导体激光器的研究进展第12-21页
        1.1.1 高功率半导体激光器第12-15页
        1.1.2 高效率半导体激光器第15页
        1.1.3 高可靠性半导体激光器第15-16页
        1.1.4 高光束质量半导体激光器第16-18页
        1.1.5 窄线宽半导体激光器第18-21页
    1.2 单纵模半导体激光器的研究进展第21-23页
        1.2.1 国外单纵模半导体激光器的研究进展第22-23页
        1.2.2 国内单纵模半导体激光器的研究进展第23页
    1.3 本文的研究目的与内容第23-26页
第2章 高阶光栅单纵模半导体激光器理论设计与分析第26-46页
    2.1 半导体激光器的基本特性第26-29页
        2.1.1 半导体的辐射跃迁第26-27页
        2.1.2 半导体激光器的增益与阈值条件第27-29页
    2.2 半导体激光器的输出功率与转换效率第29-31页
        2.2.1 半导体激光器的输出功率第29-30页
        2.2.2 半导体激光器的转化效率第30-31页
    2.3 半导体激光器的纵模与光谱特性第31-32页
    2.4 高阶布拉格光栅波导的理论模型第32-38页
        2.4.1 分布反馈(DFB)激光器和分布布拉格反射(DBR)激光器第32-33页
        2.4.2 散射理论第33-36页
        2.4.3 传输矩阵理论模型第36-38页
    2.5 高阶布拉格光栅波导的光学特性分析第38-42页
        2.5.1 传输矩阵分析第38-40页
        2.5.2 高阶布拉格光栅的损耗光谱第40-42页
    2.6 单纵模激光器的空间相干性分析第42-45页
        2.6.1 部分相干光定理第42-43页
        2.6.2 相干度理论计算方法第43-45页
    2.7 本章小结第45-46页
第3章 高阶光栅单纵模半导体激光器制备第46-68页
    3.1 外延生长技术第46-47页
    3.2 光刻技术第47-52页
    3.3 刻蚀技术第52-61页
        3.3.1 干法刻蚀第52-55页
        3.3.2 SiO2和GaAs刻蚀工艺探索第55-59页
        3.3.3 湿法腐蚀第59-61页
    3.4 薄膜生长技术第61-65页
        3.4.1 电绝缘膜生长技术第62页
        3.4.2 金属电极生长技术第62-64页
        3.4.3 光学薄膜生长技术第64-65页
    3.5 高阶光栅半导体激光器的制备第65-66页
    3.6 本章小结第66-68页
第4章 高阶光栅分布布拉格反射半导体激光器第68-94页
    4.1 高阶光栅单纵模分布布拉格反射半导体激光器第68-81页
        4.1.1 器件结构设计第68-76页
        4.1.2 器件制备第76-77页
        4.1.3 器件测量结果第77-81页
    4.2 双波长高阶光栅分布布拉格发射激光器第81-86页
        4.2.1 器件设计第81-83页
        4.2.2 器件制备第83-84页
        4.2.3 器件测量结果第84-86页
    4.3 高阶光栅耦合半导体激光器可靠性分析第86-92页
        4.3.1 拉曼光谱分析技术原理第87-88页
        4.3.2 测试结果与分析第88-92页
    4.4 本章小结第92-94页
第5章 高阶光栅单纵模分布反馈半导体激光器第94-100页
    5.1 器件制备第94-96页
    5.2 器件测量结果第96-99页
    5.3 本章小结第99-100页
第6章 单纵模半导体激光器件空间相干特性的研究第100-116页
    6.1 VCSEL单管器件空间相干性研究第100-107页
        6.1.1 部分相干光理论第101-103页
        6.1.2 测试结果第103-107页
    6.2 VCSEL列阵器件的空间相干特性研究第107-114页
        6.2.1 器件设计第107-110页
        6.2.2 器件制备第110页
        6.2.3 测试结果第110-114页
    6.3 本章小结第114-116页
第7章 总结与展望第116-118页
参考文献第118-132页
在学期间学术成果情况第132-134页
指导教师及作者简介第134-136页
致谢第136页

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