摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
目录 | 第9-12页 |
第1章 绪论 | 第12-26页 |
1.1 半导体激光器的研究进展 | 第12-21页 |
1.1.1 高功率半导体激光器 | 第12-15页 |
1.1.2 高效率半导体激光器 | 第15页 |
1.1.3 高可靠性半导体激光器 | 第15-16页 |
1.1.4 高光束质量半导体激光器 | 第16-18页 |
1.1.5 窄线宽半导体激光器 | 第18-21页 |
1.2 单纵模半导体激光器的研究进展 | 第21-23页 |
1.2.1 国外单纵模半导体激光器的研究进展 | 第22-23页 |
1.2.2 国内单纵模半导体激光器的研究进展 | 第23页 |
1.3 本文的研究目的与内容 | 第23-26页 |
第2章 高阶光栅单纵模半导体激光器理论设计与分析 | 第26-46页 |
2.1 半导体激光器的基本特性 | 第26-29页 |
2.1.1 半导体的辐射跃迁 | 第26-27页 |
2.1.2 半导体激光器的增益与阈值条件 | 第27-29页 |
2.2 半导体激光器的输出功率与转换效率 | 第29-31页 |
2.2.1 半导体激光器的输出功率 | 第29-30页 |
2.2.2 半导体激光器的转化效率 | 第30-31页 |
2.3 半导体激光器的纵模与光谱特性 | 第31-32页 |
2.4 高阶布拉格光栅波导的理论模型 | 第32-38页 |
2.4.1 分布反馈(DFB)激光器和分布布拉格反射(DBR)激光器 | 第32-33页 |
2.4.2 散射理论 | 第33-36页 |
2.4.3 传输矩阵理论模型 | 第36-38页 |
2.5 高阶布拉格光栅波导的光学特性分析 | 第38-42页 |
2.5.1 传输矩阵分析 | 第38-40页 |
2.5.2 高阶布拉格光栅的损耗光谱 | 第40-42页 |
2.6 单纵模激光器的空间相干性分析 | 第42-45页 |
2.6.1 部分相干光定理 | 第42-43页 |
2.6.2 相干度理论计算方法 | 第43-45页 |
2.7 本章小结 | 第45-46页 |
第3章 高阶光栅单纵模半导体激光器制备 | 第46-68页 |
3.1 外延生长技术 | 第46-47页 |
3.2 光刻技术 | 第47-52页 |
3.3 刻蚀技术 | 第52-61页 |
3.3.1 干法刻蚀 | 第52-55页 |
3.3.2 SiO2和GaAs刻蚀工艺探索 | 第55-59页 |
3.3.3 湿法腐蚀 | 第59-61页 |
3.4 薄膜生长技术 | 第61-65页 |
3.4.1 电绝缘膜生长技术 | 第62页 |
3.4.2 金属电极生长技术 | 第62-64页 |
3.4.3 光学薄膜生长技术 | 第64-65页 |
3.5 高阶光栅半导体激光器的制备 | 第65-66页 |
3.6 本章小结 | 第66-68页 |
第4章 高阶光栅分布布拉格反射半导体激光器 | 第68-94页 |
4.1 高阶光栅单纵模分布布拉格反射半导体激光器 | 第68-81页 |
4.1.1 器件结构设计 | 第68-76页 |
4.1.2 器件制备 | 第76-77页 |
4.1.3 器件测量结果 | 第77-81页 |
4.2 双波长高阶光栅分布布拉格发射激光器 | 第81-86页 |
4.2.1 器件设计 | 第81-83页 |
4.2.2 器件制备 | 第83-84页 |
4.2.3 器件测量结果 | 第84-86页 |
4.3 高阶光栅耦合半导体激光器可靠性分析 | 第86-92页 |
4.3.1 拉曼光谱分析技术原理 | 第87-88页 |
4.3.2 测试结果与分析 | 第88-92页 |
4.4 本章小结 | 第92-94页 |
第5章 高阶光栅单纵模分布反馈半导体激光器 | 第94-100页 |
5.1 器件制备 | 第94-96页 |
5.2 器件测量结果 | 第96-99页 |
5.3 本章小结 | 第99-100页 |
第6章 单纵模半导体激光器件空间相干特性的研究 | 第100-116页 |
6.1 VCSEL单管器件空间相干性研究 | 第100-107页 |
6.1.1 部分相干光理论 | 第101-103页 |
6.1.2 测试结果 | 第103-107页 |
6.2 VCSEL列阵器件的空间相干特性研究 | 第107-114页 |
6.2.1 器件设计 | 第107-110页 |
6.2.2 器件制备 | 第110页 |
6.2.3 测试结果 | 第110-114页 |
6.3 本章小结 | 第114-116页 |
第7章 总结与展望 | 第116-118页 |
参考文献 | 第118-132页 |
在学期间学术成果情况 | 第132-134页 |
指导教师及作者简介 | 第134-136页 |
致谢 | 第136页 |