| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第12-29页 |
| 1.1 ZnO材料的基本性质 | 第12-20页 |
| 1.1.1 ZnO的晶体结构 | 第14页 |
| 1.1.2 ZnO的能带结构 | 第14-15页 |
| 1.1.3 ZnO的光学性质 | 第15-19页 |
| 1.1.4 ZnO的电学性质 | 第19-20页 |
| 1.2 ZnCdO合金薄膜 | 第20-24页 |
| 1.2.1 能带工程 | 第20-21页 |
| 1.2.2 ZnCdO合金薄膜的研究现状 | 第21-24页 |
| 1.3 n-ZnO/p-GaN异质结发光二极管 | 第24-27页 |
| 1.3.1 n-ZnO/p-GaN异质结发光二极管的研究现状 | 第24-27页 |
| 1.4 论文的研究内容及意义 | 第27-29页 |
| 第2章 实验方法及样品表征手段 | 第29-37页 |
| 2.1 脉冲激光沉积（PLD）系统的原理与结构简介 | 第29-31页 |
| 2.2 电阻热蒸发法 | 第31-32页 |
| 2.3 X射线衍射（XRD） | 第32-33页 |
| 2.4 扫描电子显微镜（SEM） | 第33-34页 |
| 2.5 台阶仪 | 第34页 |
| 2.6 紫外-可见分光光度计 | 第34-35页 |
| 2.7 光致发光谱（PL） | 第35-36页 |
| 2.8 电致发光谱（EL） | 第36-37页 |
| 第3章 ZnCdO薄膜的制备及表征 | 第37-64页 |
| 3.1 实验准备及薄膜制备 | 第37-38页 |
| 3.1.1 衬底的选择及预处理 | 第37-38页 |
| 3.1.2 实验步骤 | 第38页 |
| 3.2 氧气压强对ZnCdO薄膜性能的影响 | 第38-47页 |
| 3.2.1 不同氧压对ZnCdO薄膜晶体结构的影响 | 第39-40页 |
| 3.2.2 不同氧压对ZnCdO薄膜形貌的影响 | 第40-42页 |
| 3.2.3 不同氧压对ZnCdO薄膜成分组分的影响 | 第42-44页 |
| 3.2.4 不同氧压对ZnCdO薄膜光学特性的影响 | 第44-47页 |
| 3.3 激光频率对ZnCdO薄膜性能的影响 | 第47-54页 |
| 3.3.1 激光频率对ZnCdO薄膜晶体结构的影响 | 第47-49页 |
| 3.3.2 激光频率对ZnCdO薄膜形貌及组分的影响 | 第49-52页 |
| 3.3.3 激光频率对ZnCdO薄膜光学特性的影响 | 第52-53页 |
| 3.3.4 不同激光频率对ZnCd O薄膜光致发光的影响 | 第53-54页 |
| 3.4 靶材组分对ZnCdO薄膜性能的影响 | 第54-62页 |
| 3.4.1 制备的ZnCdO薄膜结构分析 | 第55-57页 |
| 3.4.2 不同氧压对ZnCdO薄膜形貌的影响 | 第57-60页 |
| 3.4.3 制备的ZnCdO薄膜光电特性研究 | 第60-62页 |
| 3.5 本章小结 | 第62-64页 |
| 第4章 n-ZnCd O/p-GaN异质结发光二极管的制备及发光特性研究 | 第64-84页 |
| 4.1 ZnCdO薄膜发光机理的研究 | 第64-73页 |
| 4.1.1 不同Cd含量的ZnCdO薄膜变温PL光谱 | 第64-66页 |
| 4.1.2 ZnCdO合金薄膜近带边发光机理的讨论 | 第66-73页 |
| 4.2 n-ZnCdO/p-GaN异质结发光二极管的制备及光电性能 | 第73-80页 |
| 4.2.1 p-GaN衬底及性能表征 | 第73-75页 |
| 4.2.2 欧姆电极的制备 | 第75-76页 |
| 4.2.3 异质结发光二极管的制备及测试 | 第76-80页 |
| 4.3 n-ZnCdO/p-GaN异质结发光二极管的机理分析 | 第80-82页 |
| 4.3.1Anderson能带模型 | 第80-81页 |
| 4.3.2 n-ZnCdO/p-GaN异质结器件的电致发光机制 | 第81-82页 |
| 4.4 本章总结 | 第82-84页 |
| 第5章 可调谐的n-ZnCdO/p-GaN异质结发光二极管的制备 | 第84-98页 |
| 5.1 n-ZnO/n-ZnCdO/p-GaN异质结的研究 | 第84-86页 |
| 5.2 n-ZnCdO/i-layers/p-GaN异质结的研究 | 第86-92页 |
| 5.2.1 n-ZnCdO/MgZnO/p-GaN异质结 | 第87-89页 |
| 5.2.2 n-ZnCdO/MgO/p-GaN异质结 | 第89-92页 |
| 5.3 可调谐的n-ZnCdO/MgO/p-GaN异质结的研究 | 第92-96页 |
| 5.3.1 n-ZnCdO/i-layers/p-GaN异质结的发光机制分析 | 第92-93页 |
| 5.3.2 可调谐的n-ZnCdO/MgO/p-GaN异质结发光二极管的制备研究 | 第93-96页 |
| 5.4 本章小结 | 第96-98页 |
| 第6章 结论与展望 | 第98-101页 |
| 6.1 结论 | 第98-100页 |
| 6.2 展望 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-105页 |
| 致谢 | 第105-106页 |
| 攻读硕士学位期间参与的科研项目与研究成果 | 第106页 |
