摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6页 |
第1章 绪论 | 第9-24页 |
1.1 二维材料概述 | 第9-16页 |
1.1.1 过渡族金属硫化物二维晶体材料的研究进展 | 第9-13页 |
1.1.2 二维材料常用制备方法 | 第13-16页 |
1.2 单层WS_2、WSe_2及WS_(2x)Se_(2-2x)的性质与应用 | 第16-22页 |
1.2.1 单层WS_2、WSe_2及WS_(2x)Se_(2-2x)简介 | 第16-18页 |
1.2.2 层数相关的二硫、硒化钨间接—直接能带结构转变 | 第18页 |
1.2.3 单层WS_2及WSe_2的性质 | 第18-20页 |
1.2.4 单层WS_2、WSe_2及WS_(2x)Se_(2-2x)的应用 | 第20-22页 |
1.3 表征手段 | 第22页 |
1.4 本文的主要工作 | 第22-24页 |
第2章 实验材料及表征方法 | 第24-37页 |
2.1 实验药品及仪器设备 | 第24-29页 |
2.1.1 实验所用化学试剂及耗材 | 第24-25页 |
2.1.2 实验所用仪器 | 第25-26页 |
2.1.3 场效应管制备主要设备 | 第26-29页 |
2.2 材料的表征方法 | 第29-34页 |
2.2.1 场发射扫描电子显微镜(FESEM) | 第29-30页 |
2.2.2 透射电子显微镜(TEM) | 第30-31页 |
2.2.3 光学显微镜(OM) | 第31-32页 |
2.2.4 拉曼光谱仪(Raman) | 第32-33页 |
2.2.5 光致发光光谱(PL) | 第33页 |
2.2.6 原子力显微镜(AFM) | 第33-34页 |
2.3 光电性能测试 | 第34-37页 |
2.3.1 电子迁移率 | 第34-35页 |
2.3.2 响应电流及响应率 | 第35-36页 |
2.3.3 响应时间 | 第36-37页 |
第3章 单层WS_2及WSe_2的制备及物性研究 | 第37-66页 |
3.1 单层WS_2的制备与物性研究 | 第37-50页 |
3.1.1 单层WS_2的制备方法与流程 | 第37-38页 |
3.1.2 WS_2形貌表征 | 第38-41页 |
3.1.3 单层WS_2的拉曼表征 | 第41-43页 |
3.1.4 二硫化钨薄膜的透射电镜表征 | 第43-44页 |
3.1.5 单层WS_2的光电性能研究 | 第44-50页 |
3.1.5.1 转移和输出曲线 | 第44-46页 |
3.1.5.2 IV曲线 | 第46-48页 |
3.1.5.3 响应率 | 第48-49页 |
3.1.5.4 光响应电流与响应时间 | 第49-50页 |
3.2 单层WSe_2的制备与表征 | 第50-64页 |
3.2.1 单层WSe_2的制备方法与流程 | 第50-51页 |
3.2.2 WSe_2形貌表征 | 第51-56页 |
3.2.3 单层WSe_2的拉曼表征 | 第56-58页 |
3.2.4 二硒化钨薄膜的透射电镜表征 | 第58页 |
3.2.5 单层WSe_2的光电性能研究 | 第58-64页 |
3.3 本章小结 | 第64-66页 |
第4章 单层WS_(2x)Se_(2-2x)的制备及物性研究 | 第66-97页 |
4.1 单层WS_(2x)Se_(2-2x)的制备方法与流程 | 第66-67页 |
4.2 WS_(2x)Se_(2-2x)形貌和拉曼表征 | 第67-76页 |
4.2.1 控制硒源和硫源的温度得到不同组分的WS_(2x)Se_(2-2x) | 第67-68页 |
4.2.2 控制不同的Ar/H_2比例得到不同组分的WS_(2x)Se_(2-2x) | 第68-70页 |
4.2.3 钨源的温度和衬底的位置对WS_(2x)Se_(2-2x)的调控作用 | 第70-72页 |
4.2.4 WS_(2x)Se_(2-2x)的mapping图谱 | 第72-76页 |
4.3 WS_(2x)Se_(2-2x)薄膜的透射电镜表征 | 第76-77页 |
4.4 WS_(2x)Se_(2-2x)的光电性能研究 | 第77-95页 |
4.4.1 WS_(1.5)Se_(0.5) 的光电性能研究 | 第77-83页 |
4.4.2 WS_(0.5)Se_(1.5) 的光电性能研究 | 第83-89页 |
4.4.3 WSeS的光电性能研究 | 第89-95页 |
4.5 本章小结 | 第95-97页 |
结论 | 第97-98页 |
参考文献 | 第98-103页 |
攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第103-104页 |
致谢 | 第104页 |