| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-19页 |
| 1.1 研究背景 | 第15-16页 |
| 1.2 研究目的及意义 | 第16页 |
| 1.3 研究方法 | 第16-17页 |
| 1.4 论文结构 | 第17-19页 |
| 第二章 BiVO_4简单介绍 | 第19-25页 |
| 2.1 光催化反应原理 | 第19-21页 |
| 2.2 BiVO_4半导体光催化材料 | 第21页 |
| 2.3 BiVO_4的结构及性质 | 第21-23页 |
| 2.4 BiVO_4改性研究 | 第23-25页 |
| 第三章 计算软件和基础理论 | 第25-29页 |
| 3.1 计算材料学概述 | 第25页 |
| 3.2 理论基础 | 第25-28页 |
| 3.2.1 状态和波函数 | 第25-27页 |
| 3.2.2 密度泛函理论 | 第27-28页 |
| 3.3 第一性原理计算软件 | 第28-29页 |
| 第四章 单斜相钒酸铋掺杂改性-C、N掺杂 | 第29-51页 |
| 4.1 纯单斜相BiVO_4晶体结构 | 第29页 |
| 4.2 电子结构 | 第29-32页 |
| 4.3 光学性质 | 第32页 |
| 4.4 掺杂型单斜相BiVO_4的第一性原理研究 | 第32-48页 |
| 4.4.1 C掺杂单斜相BiVO_4的第一性原理研究 | 第32-40页 |
| 4.4.2 N掺杂单斜相BiVO_4的第一性原理研究 | 第40-48页 |
| 4.5 本章小结 | 第48-51页 |
| 第五章 金属Ag掺杂对单斜相BiVO_4的影响 | 第51-59页 |
| 5.1 模型构建 | 第51页 |
| 5.2 电子结构 | 第51-55页 |
| 5.3 光学性质 | 第55-56页 |
| 5.4 本章小结 | 第56-59页 |
| 第六章 缺陷型单斜相BiVO_4的第一性原理研究 | 第59-69页 |
| 6.1 O空位缺陷的形成能及缺陷附近的晶格畸变 | 第60-64页 |
| 6.1.1 电学性质 | 第60-63页 |
| 6.1.2 O缺陷吸收谱 | 第63-64页 |
| 6.2 V缺陷单斜相BiVO_4的第一性原理研究 | 第64-67页 |
| 6.2.1 模型构建 | 第64-65页 |
| 6.2.2 电子结构 | 第65-66页 |
| 6.2.3 光吸收谱及损失谱 | 第66-67页 |
| 6.3 本章小结 | 第67-69页 |
| 第七章 总结和展望 | 第69-71页 |
| 7.1 总结 | 第69页 |
| 7.2 展望 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 致谢 | 第75-77页 |
| 作者简介 | 第77-78页 |