| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 量子计算与半导体量子点 | 第10-24页 |
| 1.1 量子计算 | 第10-13页 |
| 1.2 半导体量子点 | 第13-20页 |
| 1.2.1 单量子点的基本性质 | 第13-17页 |
| 1.2.2 双量子点的基本性质 | 第17-20页 |
| 1.3 半导体量子点的制备 | 第20-24页 |
| 第二章 基于电子自旋编码的自旋量子比特 | 第24-36页 |
| 2.1 单电子自旋量子比特的编码和操控 | 第24-26页 |
| 2.2 两电子S-T_0量子比特的编码和操控 | 第26-29页 |
| 2.3 双量子点中三电子自旋态的研究 | 第29-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-36页 |
| 第三章 基于电子电荷分布编码的电荷量子比特研究 | 第36-54页 |
| 3.1 电荷量子比特的编码方式 | 第36-37页 |
| 3.2 电荷量子比特的操控和读取 | 第37-44页 |
| 3.3 电荷量子比特的σ_z操作及相干性 | 第44-47页 |
| 3.4 利用回声技术延长电荷量子比特的相干时间 | 第47-51页 |
| 3.5 本章小结 | 第51-54页 |
| 第四章 基于电子自旋和电荷分布混合编码的杂化量子比特 | 第54-68页 |
| 4.1 Silicon体系中杂化量子比特的编码和操控 | 第54-61页 |
| 4.2 GaAs体系中杂化量子比特的编码和操控 | 第61-66页 |
| 4.3 本章小结 | 第66-68页 |
| 第五章 线性耦合的三量子点的制备和表征 | 第68-82页 |
| 5.1 三量子点的基本结构 | 第68-71页 |
| 5.2 光子辅助隧穿 | 第71-73页 |
| 5.3 三量子点体系中的光子辅助隧穿 | 第73-80页 |
| 5.4 本章小结 | 第80-82页 |
| 第六章 利用三量子点体系实现杂化量子比特 | 第82-94页 |
| 6.1 三量子点体系中的比特编码方案 | 第82-85页 |
| 6.2 利用电压脉冲实现三量子点中电子态的相干操控 | 第85-88页 |
| 6.3 三量子点体系对平行能级的调制 | 第88-90页 |
| 6.4 一个可能的理论解释 | 第90-93页 |
| 6.5 本章小结 | 第93-94页 |
| 第七章 总结与展望 | 第94-98页 |
| 7.1 总结 | 第94-95页 |
| 7.2 展望 | 第95-98页 |
| 参考文献 | 第98-104页 |
| 致谢 | 第104-106页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第106页 |
