富硅—氮化硅薄膜的PECVD制备及其退火处理研究
| 中文摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-7页 |
| 第一章 引言 | 第10-17页 |
| 1.1 氮化硅的研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 硅基纳米发光材料的研究 | 第11-15页 |
| 1.2.1 硅基纳米材料的研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2.2 硅基纳米材料的发光特性 | 第12-15页 |
| 1.3 本论文研究内容及论文结构 | 第15-17页 |
| 第二章 等离子体增强化学气相沉积法及样品的表征 | 第17-26页 |
| 2.1 PECVD设备的介绍 | 第17页 |
| 2.2 PECVD法的沉积原理 | 第17-18页 |
| 2.3 表征手段 | 第18-26页 |
| 2.3.1 傅里叶变换红外光谱 (FTIR) | 第18-19页 |
| 2.3.2 X射线衍射谱（XRD） | 第19-21页 |
| 2.3.3 紫外-可见光吸收谱（UV-Vis） | 第21-24页 |
| 2.3.4 光致发光光谱（PL） | 第24-25页 |
| 2.3.5 激光拉曼光谱（Raman） | 第25-26页 |
| 第三章 氮气流量对氮化硅薄膜结构与性质影响 | 第26-34页 |
| 3.1 氮化硅薄膜及其制备过程 | 第26-27页 |
| 3.1.1 氮化硅简介 | 第26页 |
| 3.1.2 氮化硅的制备 | 第26-27页 |
| 3.2 实验结果与分析 | 第27-33页 |
| 3.2.1 傅里叶变换红外光谱分析 | 第27-29页 |
| 3.2.2 紫外-可见光谱分析 | 第29-31页 |
| 3.2.3 PL光谱分析 | 第31-32页 |
| 3.2.4 X射线衍射谱分析 | 第32-33页 |
| 3.3 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 氨气流量对富硅-氮化硅薄膜结构及性质影响 | 第34-41页 |
| 4.1 富硅氮化硅薄膜及其制备 | 第34-35页 |
| 4.1.1 富硅氮化硅简介 | 第34页 |
| 4.1.2 富硅氮化硅的制备 | 第34-35页 |
| 4.2 实验结果与分析 | 第35-40页 |
| 4.2.1 傅里叶变换红外光谱分析 | 第35-37页 |
| 4.2.2 紫外-可见光谱分析 | 第37-40页 |
| 4.3 本章小结 | 第40-41页 |
| 第五章 退火对富硅氮化硅薄膜发光特性及结构的影响 | 第41-49页 |
| 5.1 硅基发光材料及富硅-氮化硅薄膜的制备 | 第41-42页 |
| 5.1.1 硅基发光材料 | 第41页 |
| 5.1.2 PECVD法制备富硅氮化硅薄膜 | 第41页 |
| 5.1.3 高温退火处理 | 第41-42页 |
| 5.2 实验结果与分析 | 第42-48页 |
| 5.2.1 傅里叶变换红外光谱分析 | 第42-44页 |
| 5.2.2 激光拉曼光谱分析 | 第44-45页 |
| 5.2.3 PL光谱分析 | 第45-48页 |
| 5.3 本章小结 | 第48-49页 |
| 第六章 结论与展望 | 第49-51页 |
| 6.1 本文主要结论 | 第49-50页 |
| 6.2 展望及对后续工作的建议 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 攻读硕士期间发表和完成的论文 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
