| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| ·低维材料分类 | 第7-9页 |
| ·低维半导体器件的发展历程 | 第9-10页 |
| ·量子点简介 | 第10-12页 |
| ·什么是量子点 | 第10页 |
| ·量子点的应用 | 第10-11页 |
| ·量子点的制备 | 第11-12页 |
| ·半导体材料外延生长简介 | 第12-15页 |
| ·半导体材料外延生长的三种模式 | 第12-13页 |
| ·外延生长的热力学解释 | 第13-15页 |
| ·本文研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 实验系统介绍 | 第17-26页 |
| ·MBE介绍 | 第17-21页 |
| ·超高真空系统 | 第18-19页 |
| ·MBE源炉及控制系统 | 第19-20页 |
| ·MBE的原位监测系统 | 第20-21页 |
| ·STM介绍 | 第21-24页 |
| ·系统温度校准 | 第24-25页 |
| ·源温与其等效束流压强校准 | 第24-25页 |
| ·衬底温度校准 | 第25页 |
| ·小结 | 第25-26页 |
| 第三章 基于液滴外延法的GaAs纳米结构的制备与研究 | 第26-39页 |
| ·衬底脱氧 | 第26-27页 |
| ·生长GaAs缓冲层 | 第27-28页 |
| ·Ga液滴的制备 | 第28-29页 |
| ·GaAs纳米结构的制备与研究 | 第29-36页 |
| ·实验条件 | 第29-30页 |
| ·STM扫描结果分析 | 第30-33页 |
| ·基于液滴外延的GaAs纳米结构制备的理论分析 | 第33-36页 |
| ·基于Ga液滴外延的In(Ga)As量子点生长研究 | 第36-38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| 第四章 InAs沉积量对InAs/GaAs量子点表面形貌的影响研究 | 第39-47页 |
| ·实验过程 | 第39-40页 |
| ·实验结果与讨论 | 第40-45页 |
| ·小结 | 第45-47页 |
| 第五章 生长多周期In(Ga)As/GaAs量子点均匀性研究 | 第47-50页 |
| ·实验方法 | 第47-48页 |
| ·STM图像分析及讨论 | 第48-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 第六章 总结与展望 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文和参加科研情况 | 第56-57页 |
