| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-14页 |
| 符号对照表 | 第14-16页 |
| 缩略语对照表 | 第16-20页 |
| 第一章 绪论 | 第20-32页 |
| ·研究背景和意义 | 第20-22页 |
| ·黑障抑制技术研究的国内外进展概况 | 第22-28页 |
| ·黑障抑制技术的国内外总体进展情况 | 第22-25页 |
| ·等离子体中的低频传播特性研究进展 | 第25-26页 |
| ·通过施加电、磁场减缓黑障的研究进展 | 第26-28页 |
| ·本文内容安排 | 第28-32页 |
| 第二章 等离子鞘套下电磁波传播基础与产生黑障的主要因素分析 | 第32-50页 |
| ·引言 | 第32页 |
| ·等离子鞘套的产生过程和参数分布 | 第32-38页 |
| ·等离子鞘套的产生机理和主要过程 | 第32-34页 |
| ·等离子鞘套的参数分布 | 第34-38页 |
| ·等离子体中的电磁波传播理论 | 第38-45页 |
| ·等离子体的介质特性参数 | 第38-41页 |
| ·等离子体中电磁波传播理论基础 | 第41-45页 |
| ·电磁波在等离子体中的衰减规律与产生黑障的主要因素分析 | 第45-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第三章 近场区域内低频电磁波穿透等离子体的机理与计算方法研究 | 第50-62页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·近场区域内低频电磁波穿透等离子体的机理分析 | 第50-52页 |
| ·基于电磁屏蔽理论的近场区域内低频电磁波穿透均匀等离子体的衰减计算模型 | 第52-55页 |
| ·基于平面波谱展开法的近场区域内低频电磁波穿透非均匀等离子体的衰减计算模型 | 第55-58页 |
| ·近场区域内低频电磁波穿透等离子体的计算与仿真 | 第58-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第四章 近场区域内低频电磁波穿透等离子体的实验方法研究 | 第62-76页 |
| ·引言 | 第62页 |
| ·等离子体产生与诊断原理 | 第62-66页 |
| ·等离子体产生与控制原理 | 第62-63页 |
| ·等离子体诊断原理 | 第63-66页 |
| ·低频放电等离子体中静电探针的受干扰分析与改进 | 第66-71页 |
| ·近场区域内低频电磁波穿透等离子体的实验 | 第71-75页 |
| ·实验方法与步骤 | 第71-74页 |
| ·实验结果与分析 | 第74-75页 |
| ·本章小结 | 第75-76页 |
| 第五章 低频平面电磁波照射等离子鞘套下的电、磁场透射特性研究 | 第76-90页 |
| ·引言 | 第76页 |
| ·电小尺寸定义与等离子体球壳模型 | 第76-77页 |
| ·电小尺寸等离子体球壳下电场分量衰减计算的等效电路模型 | 第77-78页 |
| ·电小尺寸等离子体球壳下磁场分量衰减计算的等效电路模型 | 第78-80页 |
| ·基于等效电路模型的电、磁场透射特性研究 | 第80-84页 |
| ·电小尺寸等离子体覆盖下的低频电磁波衰减实验 | 第84-88页 |
| ·实验方法与步骤 | 第84-87页 |
| ·实验结果与分析 | 第87-88页 |
| ·本章小结 | 第88-90页 |
| 第六章 利用正交电磁场削弱电子密度方法的研究 | 第90-108页 |
| ·引言 | 第90页 |
| ·正交电磁二维场减缓黑障的机理分析 | 第90-93页 |
| ·电场对降低电子密度的影响机理分析 | 第91-92页 |
| ·磁场对降低电子密度的影响机理分析 | 第92页 |
| ·正交电磁二维场对降低电子密度的影响机理分析 | 第92-93页 |
| ·正交电磁二维场的数值计算模型 | 第93-97页 |
| ·正交电磁二维场的控制方程 | 第93-94页 |
| ·初始与边界条件分析 | 第94-97页 |
| ·正交电磁二维场减缓黑障的数值模拟与结果分析 | 第97-107页 |
| ·数值模拟求解过程 | 第97-100页 |
| ·平板型电极与U型电极仿真结果对比分析 | 第100-103页 |
| ·不同等离子体参数下U型电极的电磁二维场仿真结果与分析 | 第103-107页 |
| ·本章小结 | 第107-108页 |
| 第七章 典型飞行器再入全程中的低频电磁波传播特性与电子密度削弱效果仿真分析 | 第108-116页 |
| ·引言 | 第108页 |
| ·RAM-C再入过程中的等离子鞘套参数提取 | 第108-111页 |
| ·RAM-C再入过程中近场区低频电磁波的衰减特性 | 第111-112页 |
| ·RAM-C再入过程中电小尺寸等离子鞘套下的低频电磁波衰减特性 | 第112-113页 |
| ·RAM-C再入过程中电磁二维场的电子密度削弱效果分析 | 第113-114页 |
| ·本章小结 | 第114-116页 |
| 第八章 结束语 | 第116-122页 |
| ·本文研究工作总结 | 第116-118页 |
| ·存在的问题及讨论 | 第118-119页 |
| ·工作展望 | 第119-122页 |
| 参考文献 | 第122-130页 |
| 致谢 | 第130-132页 |
| 作者简介 | 第132-135页 |
