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Al/a-Si:H复合薄膜的低温晶化及性能研究

致谢第1-3页
中文摘要第3-5页
英文摘要第5-8页
目录第8-11页
第一章 绪言第11-14页
 参考文献第12-14页
第二章 文献综述第14-35页
 2.1. 引言第14页
 2.2. 多晶硅薄膜的常用制备方法第14-17页
  2.2.1. 低压化学气相沉积(LPCVD)第15页
  2.2.2. 催化化学气相沉积(cat-CVD)第15-16页
  2.2.3. 固相晶化(SPS)非晶硅第16页
  2.2.4. 激光晶化(LC)第16-17页
 2.3. 金属诱导非晶态硅低温晶化法制备多晶硅第17-20页
 2.4. 金属诱导非晶态硅低温晶化的机理第20-23页
  2.4.1. 金属在低温诱导中的作用第20-22页
  2.4.2. 金属诱导的反应动力学解释第22-23页
 2.5. 金属诱导非晶态制备多晶硅薄膜的性能第23-24页
 2.6. 金属诱导晶化非晶态的应用第24-26页
 2.7. 柱状结构的制备与沉积机制第26-30页
  2.7.1. PECVD法制备a-Si:H薄膜的生长机制第27-28页
  2.7.2. 柱状结构a-Si:H薄膜的生长机理第28-30页
 2.8. 液晶光阀第30-31页
 2.9. 本论文的研究目的与意义第31页
 参考文献第31-35页
第三章 实验过程第35-45页
 3.1. 复合薄膜的沉积设备的设计与改造第35-36页
 3.2. 实验材料第36-37页
  3.2.1. 薄膜沉积材料第36-37页
  3.2.2. 基板材料第37页
 3.3. 测试方法第37-42页
  3.3.1. 膜厚测试第37页
  3.3.2. X射线衍射第37-38页
  3.3.3. X射线光电子能谱第38-39页
  3.3.4. 扫描电镜(SEM)第39-40页
  3.3.5. 透射电镜(TEM)第40页
  3.3.6. 高分辨透射电镜(HRTEM)第40页
  3.3.7. 二次离子质谱仪(SIMS)第40-41页
  3.3.8. 激光Raman谱第41页
  3.3.9. 薄膜电导率测试第41-42页
  3.3.10. 载流子迁移率测试第42页
 3.4. 薄膜样品的制备第42-44页
  3.4.1. Al/a-Si:H复合薄膜的沉积第43页
  3.4.2. Si:H/Al/a-Si:H三层复合薄膜的沉积第43-44页
  3.4.3. 薄膜样品的退火处理与分析测试第44页
 参考文献第44-45页
第四章 Al诱导a-Si:H的低温晶化研究第45-68页
 4.1. 实验结果第45-48页
 4.2. 分析与讨论第48-66页
  4.2.1. Al诱导a-Si:H低温晶化的机理第48-64页
  4.2.2. 退火温度与Al诱导a-Si:H晶化的关系第64-65页
  4.2.3. Al层厚度与Al诱导a-Si:H晶化的关系第65页
  4.2.4. 退火时间与Al诱导a-Si:H低温晶化的关系第65-66页
 4.3. 小结第66-67页
 参考文献第67-68页
第五章 Al与a-Si:H复合薄膜的结构研究第68-82页
 5.1. 复合薄膜结构与讨论第68-72页
 5.2. 结论第72-81页
 参考文献第81-82页
第六章 Al/a-Si:H复合薄膜的性能研究第82-97页
 6.1. 实验结果第82-87页
 6.2. 分析与讨论第87-94页
  6.2.1. Al/a-Si:H复合薄膜的电性能研究第87-92页
  6.2.2. Al/a-Si:H中的Si2p结合能研究第92-94页
 6.3. 小结第94-95页
 参考文献第95-97页
第七章 柱状结构薄膜在高分辨液晶光阀光导层中的应用展望第97-106页
 7.1. 液晶光阀的工作原理第97-99页
 7.2. 光导层中载流子的横向扩散与光阀分辨率的关系第99-101页
 7.3. 柱状结构复合薄膜对液晶光阀分辨率的影响第101-104页
 7.4. 小结第104页
 参考文献第104-106页
第八章 结论第106-108页
已发表或待发表论文第108-109页

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