致谢 | 第1-3页 |
中文摘要 | 第3-5页 |
英文摘要 | 第5-8页 |
目录 | 第8-11页 |
第一章 绪言 | 第11-14页 |
参考文献 | 第12-14页 |
第二章 文献综述 | 第14-35页 |
2.1. 引言 | 第14页 |
2.2. 多晶硅薄膜的常用制备方法 | 第14-17页 |
2.2.1. 低压化学气相沉积(LPCVD) | 第15页 |
2.2.2. 催化化学气相沉积(cat-CVD) | 第15-16页 |
2.2.3. 固相晶化(SPS)非晶硅 | 第16页 |
2.2.4. 激光晶化(LC) | 第16-17页 |
2.3. 金属诱导非晶态硅低温晶化法制备多晶硅 | 第17-20页 |
2.4. 金属诱导非晶态硅低温晶化的机理 | 第20-23页 |
2.4.1. 金属在低温诱导中的作用 | 第20-22页 |
2.4.2. 金属诱导的反应动力学解释 | 第22-23页 |
2.5. 金属诱导非晶态制备多晶硅薄膜的性能 | 第23-24页 |
2.6. 金属诱导晶化非晶态的应用 | 第24-26页 |
2.7. 柱状结构的制备与沉积机制 | 第26-30页 |
2.7.1. PECVD法制备a-Si:H薄膜的生长机制 | 第27-28页 |
2.7.2. 柱状结构a-Si:H薄膜的生长机理 | 第28-30页 |
2.8. 液晶光阀 | 第30-31页 |
2.9. 本论文的研究目的与意义 | 第31页 |
参考文献 | 第31-35页 |
第三章 实验过程 | 第35-45页 |
3.1. 复合薄膜的沉积设备的设计与改造 | 第35-36页 |
3.2. 实验材料 | 第36-37页 |
3.2.1. 薄膜沉积材料 | 第36-37页 |
3.2.2. 基板材料 | 第37页 |
3.3. 测试方法 | 第37-42页 |
3.3.1. 膜厚测试 | 第37页 |
3.3.2. X射线衍射 | 第37-38页 |
3.3.3. X射线光电子能谱 | 第38-39页 |
3.3.4. 扫描电镜(SEM) | 第39-40页 |
3.3.5. 透射电镜(TEM) | 第40页 |
3.3.6. 高分辨透射电镜(HRTEM) | 第40页 |
3.3.7. 二次离子质谱仪(SIMS) | 第40-41页 |
3.3.8. 激光Raman谱 | 第41页 |
3.3.9. 薄膜电导率测试 | 第41-42页 |
3.3.10. 载流子迁移率测试 | 第42页 |
3.4. 薄膜样品的制备 | 第42-44页 |
3.4.1. Al/a-Si:H复合薄膜的沉积 | 第43页 |
3.4.2. Si:H/Al/a-Si:H三层复合薄膜的沉积 | 第43-44页 |
3.4.3. 薄膜样品的退火处理与分析测试 | 第44页 |
参考文献 | 第44-45页 |
第四章 Al诱导a-Si:H的低温晶化研究 | 第45-68页 |
4.1. 实验结果 | 第45-48页 |
4.2. 分析与讨论 | 第48-66页 |
4.2.1. Al诱导a-Si:H低温晶化的机理 | 第48-64页 |
4.2.2. 退火温度与Al诱导a-Si:H晶化的关系 | 第64-65页 |
4.2.3. Al层厚度与Al诱导a-Si:H晶化的关系 | 第65页 |
4.2.4. 退火时间与Al诱导a-Si:H低温晶化的关系 | 第65-66页 |
4.3. 小结 | 第66-67页 |
参考文献 | 第67-68页 |
第五章 Al与a-Si:H复合薄膜的结构研究 | 第68-82页 |
5.1. 复合薄膜结构与讨论 | 第68-72页 |
5.2. 结论 | 第72-81页 |
参考文献 | 第81-82页 |
第六章 Al/a-Si:H复合薄膜的性能研究 | 第82-97页 |
6.1. 实验结果 | 第82-87页 |
6.2. 分析与讨论 | 第87-94页 |
6.2.1. Al/a-Si:H复合薄膜的电性能研究 | 第87-92页 |
6.2.2. Al/a-Si:H中的Si2p结合能研究 | 第92-94页 |
6.3. 小结 | 第94-95页 |
参考文献 | 第95-97页 |
第七章 柱状结构薄膜在高分辨液晶光阀光导层中的应用展望 | 第97-106页 |
7.1. 液晶光阀的工作原理 | 第97-99页 |
7.2. 光导层中载流子的横向扩散与光阀分辨率的关系 | 第99-101页 |
7.3. 柱状结构复合薄膜对液晶光阀分辨率的影响 | 第101-104页 |
7.4. 小结 | 第104页 |
参考文献 | 第104-106页 |
第八章 结论 | 第106-108页 |
已发表或待发表论文 | 第108-109页 |