摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-6页 |
目录 | 第6-8页 |
第一章 绪论 | 第8-23页 |
·课题的研究背景 | 第8-15页 |
·课题的来源 | 第8页 |
·研究背景 | 第8-11页 |
·化学机械抛光技术的发展及其存在的问题 | 第11-15页 |
·CMP 材料去除机理的国内外研究现状 | 第15-21页 |
·化学机械抛光的理论和机理分类 | 第15-16页 |
·连续去除理论及其研究方法 | 第16-17页 |
·非连续去除理论及其研究方法 | 第17-18页 |
·化学机械抛光过程中磨粒的微观作用的研究进展 | 第18-20页 |
·雾化施液 CMP 技术研究进展 | 第20-21页 |
·课题的研究内容及研究意义 | 第21-23页 |
第二章 雾化施液 CMP 材料去除形式 | 第23-37页 |
·试验方法 | 第23-30页 |
·试验结果及分析 | 第30-35页 |
·硅片表面质量 AFM、SEM 分析 | 第30-34页 |
·雾化抛光液磨料微观形貌 | 第34页 |
·雾化施液 CMP 材料去除形式 | 第34-35页 |
·本章小结 | 第35-37页 |
第三章 磨料粒度对雾化施液 CMP 抛光速率的影响及机理 | 第37-47页 |
·实验方法 | 第37-39页 |
·实验结果及分析 | 第39-46页 |
·表面粗糙度和磨料粒度的关系 | 第39-42页 |
·材料去除率和磨料粒度的关系 | 第42-43页 |
·磨料对材料去除速率影响机理分析 | 第43-45页 |
·化学动力学和分子动力学分析 | 第45-46页 |
·本章小结 | 第46-47页 |
第四章 抛光参数对雾化施液 CMP 抛光效果的影响及机理 | 第47-63页 |
·压力对去除速率和粗糙度的影响 | 第48-52页 |
·试验安排 | 第48页 |
·试验结果分析 | 第48-52页 |
·抛光盘转速对去除速率和粗糙度的影响 | 第52-57页 |
·试验安排 | 第52-53页 |
·试验结果分析 | 第53-57页 |
·pH 值对去除速率的影响 | 第57-61页 |
·试验安排 | 第57页 |
·试验结果分析 | 第57-61页 |
·本章小结 | 第61-63页 |
第五章 抛光垫的组织结构对雾化施液 CMP 抛光性能的影响 | 第63-74页 |
·实验方法 | 第63-66页 |
·实验原料和试剂 | 第63-64页 |
·实验设备及检测仪器 | 第64-65页 |
·工艺参数的选择 | 第65页 |
·实验方案 | 第65-66页 |
·实验结果及分析 | 第66-72页 |
·抛光垫力学拉伸性能的变化 | 第66-68页 |
·抛光垫表面微观结构的变化 | 第68-69页 |
·抛光垫表面粗糙度的变化 | 第69-71页 |
·抛光垫的组织结构对抛光性能的影响及机理 | 第71-72页 |
·本章小结 | 第72-74页 |
第六章 结论与展望 | 第74-77页 |
·结论 | 第74-75页 |
·论文创新点 | 第75页 |
·论文不足之处 | 第75页 |
·展望 | 第75-77页 |
致谢 | 第77-78页 |
参考文献 | 第78-84页 |
附录:作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第84页 |