| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| ·研究背景 | 第8-9页 |
| ·三代微通道板国内外研究情况 | 第9-11页 |
| ·本论文的研究意义 | 第11页 |
| ·论文研究的主要内容 | 第11-13页 |
| 第二章 电子与固体相互作用及二次电子发射理论 | 第13-21页 |
| ·三代微通道板的工作原理 | 第13-14页 |
| ·微通道板的电子倍增特性 | 第13-14页 |
| ·防离子反馈膜的引入 | 第14页 |
| ·电子与固体相互作用理论 | 第14-18页 |
| ·电子与固体相互作用分类 | 第15-16页 |
| ·电子弹性散射 | 第16-17页 |
| ·电子非弹性散射 | 第17-18页 |
| ·二次电子发射理论 | 第18-21页 |
| ·二次电子产生的机制 | 第18-19页 |
| ·二次电子能量分布 | 第19-20页 |
| ·二次电子发射系数δ | 第20-21页 |
| 第三章 防离子反馈膜的电子透过特性研究 | 第21-36页 |
| ·防离子反馈膜的电子射程研究 | 第21-23页 |
| ·防离子反馈膜的电子射程模型 | 第21-22页 |
| ·Al_2O_3和SiO_2两种防离子反馈膜的电子射程 | 第22-23页 |
| ·MONTE CARLO方法模拟防离子反馈膜电子透过特性 | 第23-29页 |
| ·Monte Carlo方法介绍 | 第23-24页 |
| ·建立防离子反馈膜电子运动情况的Monte Carlo模型 | 第24-27页 |
| ·Monte Carlo模拟过程 | 第27-29页 |
| ·防离子反馈膜的电子透过特性模拟结果分析 | 第29-36页 |
| ·A_2O_3和SiO_2防离子反馈膜的电子透过特性对比分析 | 第29-32页 |
| ·防离子反馈膜的电子能量与电子透过特性分析 | 第32-36页 |
| 第四章 MCP电子倍增特性的研究 | 第36-45页 |
| ·MCP结构分析 | 第36-39页 |
| ·微通道内壁的结构分析 | 第36-37页 |
| ·打拿极电子倍增过程的分析 | 第37-39页 |
| ·MCP二次电子发射系数的研究 | 第39-41页 |
| ·MCP二次电子发射系数计算模型 | 第39页 |
| ·MCP二次电子发射系数计算结果分析 | 第39-41页 |
| ·MCP电子增益的研究 | 第41-45页 |
| ·MCP电子增益的数学模型 | 第41-43页 |
| ·MCP电子增益计算结果分析 | 第43-45页 |
| 结论 | 第45-46页 |
| 致谢 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-48页 |
