铌酸锂的载流子调控和pn结
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-33页 |
| 第一节 铌酸锂晶体简述 | 第13-23页 |
| ·铌酸锂晶体的发展概况 | 第13-15页 |
| ·铌酸锂晶体的结构特征 | 第15-17页 |
| ·铌酸锂晶体的缺陷类型和占位 | 第17-21页 |
| ·铌酸锂晶体的能带结构 | 第21-22页 |
| ·铌酸锂晶体的载流子类型 | 第22-23页 |
| 第二节 集成光学简述 | 第23-31页 |
| ·集成光学的发展历程 | 第23-24页 |
| ·集成光学的特点 | 第24-26页 |
| ·集成光路器件 | 第26页 |
| ·论文基本实验设想 | 第26-31页 |
| 第三节 论文的目的及内容安排 | 第31-33页 |
| 第二章 p型铌酸锂晶体 | 第33-69页 |
| 第一节 铌酸锂导电类型的判定方法 | 第34-50页 |
| ·电学判断方法 | 第34-37页 |
| ·光学判断方法 | 第37-50页 |
| 第二节 p型铌酸锂晶体的制备 | 第50-68页 |
| ·掺杂铌酸锂晶体 | 第51-57页 |
| ·氧化处理晶体 | 第57-68页 |
| 第三节 本章小结 | 第68-69页 |
| 第三章 铌酸锂同质结 | 第69-94页 |
| 第一节 铌酸锂同质结的制备 | 第70-87页 |
| ·液相外延法 | 第70-76页 |
| ·磁控溅射法 | 第76-80页 |
| ·激光分子束外延法 | 第80-87页 |
| 第二节 铌酸锂同质结的性能 | 第87-93页 |
| ·pn结技术指标和检测手段 | 第87-88页 |
| ·铌酸锂同质结的性能 | 第88-93页 |
| 第三节 本章小结 | 第93-94页 |
| 第四章 铌酸锂/硅异质结 | 第94-128页 |
| 第一节 高电导率铌酸锂晶体的制备 | 第95-111页 |
| ·铌酸锂晶体的导电机制 | 第96-101页 |
| ·光生伏打实验原理 | 第101-103页 |
| ·光生伏打实验 | 第103-108页 |
| ·掺铁铌酸锂晶体的导电特性 | 第108-111页 |
| 第二节 铌酸锂/硅异质结的制备 | 第111-126页 |
| ·铌酸锂薄膜生长的参量分析 | 第111-117页 |
| ·硅基铌酸锂薄膜的生长 | 第117-126页 |
| 第三节 异质结性能检测 | 第126-127页 |
| 第四节 本章小结 | 第127-128页 |
| 第五章 总结与展望 | 第128-130页 |
| 参考文献 | 第130-140页 |
| 致谢 | 第140-141页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第141页 |
