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基于半导体量子阱自发辐射相干对弱场传输的影响

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-9页
主要符号说明第9-10页
第一章 绪论第10-16页
   ·引言第10页
   ·量子相干效应第10-11页
   ·电磁诱导透明研究背景第11-12页
   ·半导体量子阱介绍第12-14页
   ·自发辐射诱导相干研究背景第14页
   ·论文的结构和主要内容第14-16页
第二章 基础理论与工具第16-32页
   ·描述量子系统的三种基本绘景第16-17页
   ·光与物质相互作用的半经典理论第17-21页
     ·光与物质相互作用的哈密通量和偶极近似第17-18页
     ·二能级原子与光场的相互作用第18-21页
   ·光场在介质中的传播第21-23页
     ·慢变化振幅方程第21-22页
     ·介质的极化强度和极化率第22-23页
   ·电磁诱导透明理论第23-25页
   ·自发辐射相干理论第25-30页
     ·自由空间的自发辐射(Weisskopf-Wigner 理论)第25-27页
     ·具有自发辐射相干的基本位型第27-30页
   ·半导体量子阱分立能级结构第30-32页
第三章 非对称半导体量子阱中自发辐射相干诱导透明第32-40页
   ·引言第32-33页
   ·理论模型和动力学方程第33-36页
   ·结果与讨论第36-38页
   ·结论第38-40页
第四章 非对称半导体双量子阱中型双通道自发辐射相干对弱场传输的影响第40-49页
   ·引言第40-41页
   ·理论模型和动力学方程第41-46页
   ·结果与讨论第46-48页
   ·结论第48-49页
第五章 总结第49-50页
   ·主要工作回顾第49页
   ·本文研究内容改进和展望第49-50页
参考文献第50-55页
个人简历 在读期间发表的学术论文第55-56页
致谢第56页

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