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Cu2O的EPIR效应与忆阻器行为研究

摘要第1-6页
Abstract第6-11页
第一章 绪论第11-35页
   ·引言第11页
   ·存储器简介第11-13页
   ·阻变随机存储器(RRAM)第13-27页
     ·RRAM技术回顾第14-17页
     ·RRAM工作机制及原理探究第17-24页
     ·RRAM研究现状与前景展望第24-27页
   ·本文的研究意义、方法及内容第27-30页
     ·研究背景及意义第27-28页
     ·Cu_2O的结构和性质第28-29页
     ·研究的基本内容,拟解决的主要问题第29页
     ·研究步骤、方法及手段第29-30页
 参考文献第30-35页
第二章 样品制备和结构分析及性能测试第35-50页
   ·Cu_2O的制备方法第35-40页
     ·电化学工作站原理及外观第35-36页
     ·电化学工作站功能及硬件参数指标第36-38页
     ·Cu_2O的电化学制备第38-40页
   ·样品的分析和表征第40-42页
     ·X射线衍射(XRD)第41-42页
     ·扫描电子显微镜(SEM)第42页
   ·样品的电学性能测试及分析第42-44页
     ·电压循环冲击处理的测量和分析第42-43页
     ·磁、电输运性质测试第43-44页
   ·测量方法第44-49页
     ·电极的制备第44-45页
     ·两线和四线测试方法第45-49页
 参考文献第49-50页
第三章 pH相关Cu/Cu_2O/Cu/FTO器件的EPIR效应第50-60页
   ·引言第50页
   ·实验方法第50-51页
   ·实验结果与讨论第51-56页
     ·Cu_2O的电化学行为第51-52页
     ·晶体结构和显微结构分析第52-54页
     ·EPIR效应测量第54-56页
   ·结论第56-57页
 参考文献第57-60页
第四章 电极相关EPIR效应研究第60-72页
   ·引言第60页
   ·样品的制备第60-61页
   ·结果和讨论第61-68页
     ·不同电极的比较第61-67页
     ·Ag胶电极和离子溅射Ag电极的比较第67-68页
   ·结论第68-70页
 参考文献第70-72页
第五章 整流性质和体效应探究第72-77页
   ·引言第72页
   ·样品的制备第72-73页
   ·结果和讨论第73-76页
     ·不同电极位置的测试第73-75页
     ·体效应测试第75-76页
   ·结论第76-77页
第六章 结论与展望第77-80页
   ·论文总结第77-78页
   ·论文创新点第78-79页
   ·展望与建议第79-80页
附录:攻读硕士学位期间发表的论文第80-81页
致谢第81-82页

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