| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·国内外研究概况及发展态势 | 第11-12页 |
| ·本文的选题依据和研究意义 | 第12-13页 |
| ·本文所用研究方法及内容 | 第13-14页 |
| 第二章 量子输运理论 | 第14-24页 |
| ·低维介观系统 | 第14-16页 |
| ·量子隧穿效应 | 第14-15页 |
| ·电导量子化 | 第15页 |
| ·弱局域化现象 | 第15-16页 |
| ·Aharonov-Bohm 效应 | 第16页 |
| ·量子点 | 第16-17页 |
| ·量子点的类型 | 第17页 |
| ·量子点的量子效应 | 第17-19页 |
| ·量子尺寸效应 | 第17-18页 |
| ·库仑阻塞效应 | 第18页 |
| ·普适电导涨落效应 | 第18页 |
| ·Fano 效应 | 第18-19页 |
| ·耦合量子点系统 | 第19页 |
| ·量子点序列中的格林函数 | 第19-22页 |
| ·格林函数的定义 | 第20-22页 |
| ·截断近似 | 第22-23页 |
| ·小结 | 第23-24页 |
| 第三章 耦合双量子点输运模型及处理方法 | 第24-32页 |
| ·耦合双量子点序列电子输运模型 | 第24页 |
| ·耦合双量子点序列中电流输运的计算方法 | 第24-32页 |
| 第四章 具有库仑关联的耦合双量子点电子输运性质研究 | 第32-59页 |
| ·电子占据数和自旋积聚的研究 | 第32-45页 |
| ·点内库仑作用对耦合双量子点中电子占据数和自旋积聚的影响 | 第32-36页 |
| ·偏压对耦合双量子点中电子占据数和自旋积聚的影响 | 第36-40页 |
| ·共振宽度对耦合双量子点中电子占据数和自旋积聚的影响 | 第40-43页 |
| ·温度对耦合双量子点中电子占据数和自旋积聚的影响 | 第43-44页 |
| ·库仑作用、共振宽度和偏压影响下的自旋积聚 | 第44-45页 |
| ·直流电流和微分电导的研究 | 第45-48页 |
| ·点内库仑作用对耦合双量子点直流电流和微分电导的影响 | 第45-46页 |
| ·温度对耦合双量子点直流电流和微分电导的影响 | 第46-47页 |
| ·共振宽度对耦合双量子点直流电流和微分电导的影响 | 第47-48页 |
| ·截断近似对量子点系统中直流电流的影响 | 第48-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 第五章 总结与展望 | 第59-61页 |
| ·结论 | 第59页 |
| ·前景展望 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第67-68页 |
