可调谐薄膜滤波器中的非晶硅薄膜非均匀性研究

摘要	第1-6页
ABSTRACT	第6-10页
第一章 绪论	第10-20页
·研究背景与选题意义	第10-18页
·可调谐 F-P 滤波器	第10-13页
·硅基热光可调谐滤波器	第13-15页
·非晶硅薄膜非均匀性研究进展	第15-18页
·本论选题思想及内容安排	第18-20页
第二章 硅基热光可调谐滤波器非均匀性理论研究	第20-33页
·全介质 F-P 薄膜滤波器原理和特征参数	第20-23页
·硅基热光可调谐薄膜滤波器	第23-32页
·热光可调谐滤波器基本原理及材料选择	第23-24页
·热光可调谐滤波器新结构对性能的影响	第24-26页
·薄膜非均匀性对热光可调谐滤波器性能的影响	第26-32页
·本章小结	第32-33页
第三章 a-Si:H 薄膜光学性质非均匀性研究	第33-51页
·a-Si:H 薄膜基本物理特性	第33-34页
·PECVD 沉积 a-Si:H 薄膜	第34-40页
·PECVD 沉积 a-Si:H 薄膜基本原理	第34-36页
·沉积设备和测试手段	第36-39页
·实验方法与过程	第39-40页
·薄膜光学性质非均匀性分析	第40-49页
·本章小结	第49-51页
第四章 a-Si:H 薄膜表面形貌非均匀性研究	第51-62页
·薄膜表面形貌生长基本理论	第51-52页
·实验方法与测试手段	第52-55页
·a-Si:H 薄膜表面形貌非均匀性分析	第55-61页
·本章小结	第61-62页
第五章 总结	第62-64页
致谢	第64-65页
参考文献	第65-68页
攻读硕士学位期间研究成果	第68-69页