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射频放大器的效率增强与线性化技术研究

摘要第1-7页
ABSTRACT第7-14页
第一章 绪论第14-22页
   ·引言第14-16页
   ·射频放大器的发展现状第16-19页
     ·半导体技术的发展过程第16-17页
     ·高效率单管功率放大器的发展现状第17页
     ·射频放大器的线性化技术第17-18页
     ·宽带低噪声放大器的发展现状第18-19页
   ·本文主要工作及内容安排第19-22页
第二章 射频放大器的匹配方法研究第22-32页
   ·引言第22页
   ·功率匹配第22-24页
   ·负载牵引第24-27页
   ·噪声匹配第27-29页
   ·总结第29-32页
第三章 F/IF 类功率放大器的效率增强第32-68页
   ·引言第32页
   ·F/IF 类功率放大器基本原理第32-40页
     ·过激励B 类功率放大器第32-34页
     ·F 类功率放大器第34-36页
     ·逆F 类功率放大器第36-37页
     ·F 类的最佳平坦波形第37-40页
   ·功率晶体管寄生参数的影响第40-49页
     ·功率晶体管的大信号模型第40-42页
     ·寄生效应对F/IF 类功率放大器的影响第42-49页
   ·高效率F/IF 功率放大器设计第49-65页
     ·输入端设计第49-51页
     ·输出端设计第51-61页
     ·实验电路设计及实测结果分析第61-65页
   ·总结第65-68页
第四章 高效率Doherty 结构功率放大器第68-92页
   ·引言第68页
   ·传统Doherty 结构的工作原理第68-80页
     ·有源负载牵引原理第68-69页
     ·双路式Doherty 结构第69-70页
     ·对称式Doherty 结构第70-79页
     ·非对称式Doherty 结构第79-80页
   ·F/IF 类功放与Doherty 结构的结合第80-91页
     ·传统Doherty 结构功放的问题第80-82页
     ·采用逆F 类功率放大器的高效率Doherty 功放第82-90页
     ·非线性分析第90-91页
   ·总结第91-92页
第五章 宽带低噪声放大器的噪声与线性优化第92-112页
   ·引言第92页
   ·CMOS 低噪声放大器第92-100页
     ·简化噪声模型第92-94页
     ·一般CMOS 低噪声放大器设计方法第94-96页
     ·噪声抑制结构第96-100页
   ·超宽带CMOS LNA 电路设计与实现第100-111页
     ·电路结构第100-102页
     ·噪声分析与优化方法第102-105页
     ·非线性分析第105-106页
     ·芯片设计及结果分析第106-111页
   ·总结第111-112页
第六章 结束语第112-116页
参考文献第116-126页
攻读博士学位期间完成的学术论文第126-128页
致谢第128-129页

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