基于钽酸锂晶体的红外探测器工艺技术研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1.绪论 | 第10-16页 |
| ·课题研究背景和意义 | 第10-12页 |
| ·研究现状概述及发展趋势 | 第12-14页 |
| ·热释电红外探测器国外研究现状 | 第12-13页 |
| ·热释电红外探测器国内研究现状 | 第13-14页 |
| ·主要研究工作 | 第14-15页 |
| ·本文内容整体安排 | 第15页 |
| ·本章小结 | 第15-16页 |
| 2. 红外探测器概述及分类 | 第16-25页 |
| ·红外探测器分类 | 第16-17页 |
| ·热释电探测器的工作原理 | 第17-21页 |
| ·热释电效应 | 第17-18页 |
| ·热释电红外探测器性能参数 | 第18-21页 |
| ·热释电探测器的材料选择 | 第21-24页 |
| ·热释电材料性能参数 | 第21-22页 |
| ·热释电材料的选择 | 第22-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 3. 热释电红外探测器制备工艺的研究 | 第25-51页 |
| ·热释电探测器工艺设计 | 第25-29页 |
| ·热释电红外探测器制备工艺方案 | 第25-28页 |
| ·新型低热导率绝热层材料选择 | 第28页 |
| ·热释电红外探测器制备工艺流程 | 第28-29页 |
| ·薄膜工艺 | 第29-40页 |
| ·薄膜制备方法 | 第29-31页 |
| ·工艺参数对膜沉积速率的影响 | 第31-40页 |
| ·光刻工艺 | 第40-45页 |
| ·工艺流程 | 第40-44页 |
| ·显影时间确定 | 第44-45页 |
| ·减薄工艺 | 第45-49页 |
| ·减薄原理 | 第45-46页 |
| ·研磨液和研磨抛光液的选择 | 第46页 |
| ·减薄的工艺过程 | 第46-48页 |
| ·晶片减薄后厚度测试及结果分析 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 4. 热释电探测器封装及电学性能测试 | 第51-57页 |
| ·热释电探测器封装壳体设计 | 第51-52页 |
| ·探测器结构 | 第51-52页 |
| ·探测器结构设计原理 | 第52页 |
| ·热释电探测器电学性能测试 | 第52-56页 |
| ·测试系统的搭建 | 第52-53页 |
| ·信号读取电路设计 | 第53-54页 |
| ·测试结果分析 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 5. 总结与展望 | 第57-59页 |
| ·课题完成的工作 | 第57-58页 |
| ·工作展望和建议 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
