PLD法制备Ga掺杂ZnO薄膜结构与性能研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-23页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·ZnO薄膜的基本性质 | 第10-13页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第10-11页 |
| ·ZnO薄膜的电学性质 | 第11-12页 |
| ·ZnO薄膜的光学性质 | 第12-13页 |
| ·ZnO薄膜的制备方法 | 第13-17页 |
| ·磁控溅射 | 第13-14页 |
| ·分子束外延 | 第14页 |
| ·溶胶-凝胶法(sol-gel) | 第14-15页 |
| ·金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第15-16页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第16-17页 |
| ·ZnO薄膜的掺杂 | 第17-21页 |
| ·Al元素掺杂 | 第17-18页 |
| ·Ga元素掺杂 | 第18-19页 |
| ·Co元素掺杂 | 第19-20页 |
| ·非金属元素掺杂 | 第20-21页 |
| ·共掺杂 | 第21页 |
| ·本论文的选题意义及研究内容 | 第21-23页 |
| 2 GZO薄膜的制备实验及表征 | 第23-34页 |
| ·靶材的制备 | 第23-24页 |
| ·PLD法制备Ga掺杂ZnO薄膜 | 第24-28页 |
| ·脉冲激光沉积原理 | 第24-25页 |
| ·脉冲激光沉积系统 | 第25-26页 |
| ·薄膜具体制各工艺 | 第26-28页 |
| ·薄膜表征方法 | 第28-34页 |
| ·X射线衍射仪(XRD) | 第28-30页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第30页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第30-31页 |
| ·紫外-可见分光光度计 | 第31页 |
| ·光致发光(PL)谱 | 第31-33页 |
| ·椭圆偏振光谱仪 | 第33-34页 |
| 3 GZO薄膜的表面形貌与微观结构研究 | 第34-50页 |
| ·Ga含量对GZO薄膜表面形貌与微观结构的影响 | 第34-40页 |
| ·衬底温度对GZO薄膜表面形貌与结晶性能的影响 | 第40-46页 |
| ·氧压对GZO薄膜表面形貌与结晶性能的影响 | 第46-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 4 GZO薄膜的光学性能研究 | 第50-62页 |
| ·Ga含量对GZO薄膜光学性能的影响 | 第50-54页 |
| ·衬底温度对GZO薄膜光学性能的影响 | 第54-57页 |
| ·氧压对GZO薄膜光学性能的影响 | 第57-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 5 GZO薄膜的发光性能研究 | 第62-69页 |
| ·Ga含量对GZO薄膜发光性能的影响 | 第62-65页 |
| ·衬底温度对GZO薄膜光致发光(PL)性能的影响 | 第65-66页 |
| ·氧压对GZO薄膜光致发光(PL)性能的影响 | 第66-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 6 结论 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-79页 |
| 附录 | 第79页 |
