| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-14页 |
| ·稀磁半导体的研究现状 | 第7-9页 |
| ·基于GaN的DMS的研究现状 | 第9-11页 |
| ·磁性隧道结中隧穿电导的第一性原理研究 | 第11-12页 |
| ·本文的研究目的和主要内容 | 第12-14页 |
| 第二章 基本理论及计算方法 | 第14-30页 |
| ·第一性原理的定义 | 第14页 |
| ·绝热近似 | 第14-16页 |
| ·密度泛函理论 | 第16-21页 |
| ·密度泛函理论的基础——Hohenberg—Kohn定理 | 第17-18页 |
| ·单电子化：Kohn—Sham方程 | 第18-20页 |
| ·局域密度近似(LDA)与广义梯度近似(GGA) | 第20-21页 |
| ·自洽场计算 | 第21-22页 |
| ·平面波赝势方法 | 第22-23页 |
| ·周期性边界条件 | 第23-24页 |
| ·Bloch定理与波函数的平面波展开 | 第23-24页 |
| ·布里渊区k点的选取 | 第24页 |
| ·结构优化 | 第24-25页 |
| ·电导的计算 | 第25-30页 |
| 第三章 稀磁半导体隧道结GaN：Mn/AlN/GaN：Mn电导第一性原理研究 | 第30-46页 |
| ·计算参数选择 | 第30页 |
| ·Mn掺杂浓度为12.5%时稀磁半导体隧道结GaN：Mn/AlN/GaN：Mn的研究 | 第30-42页 |
| ·稀磁半导体隧道结GaN：Mn/AlN/GaN：Mn(0001)的几何结构 | 第30-31页 |
| ·稀磁半导体隧道结GaN：Mn/AlN/GaN：Mn(0001)的电子结构 | 第31-35页 |
| ·稀磁半导体隧道结GaN：Mn/AlN/GaN：Mn(0001)的电导 | 第35-42页 |
| ·Mn掺杂浓度为6.25%时稀磁半导体隧道结GaN：Mn/AlN/GaN：Mn的研究 | 第42-44页 |
| ·总结与展望 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 致谢 | 第49页 |
