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光子晶体中的缺陷模特性研究

摘要第1-7页
ABSTRACT第7-13页
第一章 绪论第13-24页
   ·光子晶体概念第13-15页
   ·光子晶体发展现状第15-16页
   ·光子晶体发展前景第16-18页
   ·光子晶体中的缺陷模第18-20页
   ·左手材料和非线性材料在光子晶体中的应用第20-22页
   ·慢波结构第22页
   ·本文的主要内容及结构安排第22-24页
第二章 用传输矩阵法讨论光子晶体的传输特性第24-39页
   ·光子晶体能带第24-28页
     ·光子晶体能带的概念第24-25页
     ·一维光子晶体中的禁带第25-27页
     ·光子晶体能带的获得第27-28页
   ·光子晶体缺陷模第28-30页
     ·光子晶体缺陷概念第28-29页
     ·光子晶体缺陷模第29-30页
   ·光子晶体中常用理论计算方法第30-31页
   ·传输矩阵法第31-34页
     ·传输矩阵的推导第31-33页
     ·一维光子晶体中的传输矩阵第33-34页
   ·用传输矩阵模拟一维光子晶体传输特性第34-38页
     ·完整一维光子晶体的传输特性第35-36页
     ·含有缺陷层的光子晶体传输特性第36-38页
   ·本章小结第38-39页
第三章 含负折射率材料光子晶体中的缺陷模特性第39-71页
   ·负折射率材料简介第39-46页
     ·负折射率材料的概念第39-41页
     ·负折射率材料的物理特性第41-43页
     ·负折射率材料的电容率和磁导率表达式第43-44页
     ·包含负折射率材料的光子晶体第44-46页
   ·由单负材料和负折射率材料构成的一维光子晶体传输特性第46-48页
     ·具有负折射率材料光子晶体中所用的传输矩阵法第46-47页
     ·用传输矩阵法计算由单负材料和负折射率材料构成的光子晶体传输特性第47-48页
   ·由单负材料和双负材料构成的光子晶体中的缺陷模性质第48-54页
     ·在单负材料和双负材料构成的光子晶体中引入正常材料缺陷层第49-53页
     ·在单负材料和双负材料构成的光子晶体中引入负折射率材料缺陷层第53-54页
   ·正常材料光子晶体中两个正常材料缺陷层所激发缺陷模的耦合第54-59页
     ·单个缺陷层所激发缺陷模的情况第54-56页
     ·两个缺陷层所激发缺陷模耦合的情况第56-59页
   ·正常材料晶体中两个负折射率材料缺陷层所激发的缺陷模的耦合第59-63页
     ·单个负折射率材料缺陷层所激发缺陷模的情况第59-61页
     ·两个负折射率材料缺陷层所激发缺陷模耦合的情况第61-63页
   ·正常材料晶体中两个单负材料缺陷层所激发的缺陷模的耦合第63-64页
   ·缺陷模作为光学传感具有很高的灵敏度第64-69页
     ·一维三层光子晶体中缺陷模的反应灵敏度第65-67页
     ·单负材料和负折射率材料构成的光子晶体中缺陷模光学性质第67-69页
   ·本章小结第69-71页
第四章 含非线性材料光子晶体中的缺陷模特性第71-104页
   ·非线性光学材料简介第71-73页
   ·含有非线性材料光子晶体所用的非线性传输矩阵第73-75页
   ·光学双稳态第75-77页
   ·含有一个非线性缺陷层的正常材料光子晶体双稳特性第77-85页
     ·不同厚度缺陷层所对应的不同双稳效应第78-81页
     ·不同位置缺陷层所对应的不同双稳效应第81-83页
     ·位于不同带隙的缺陷模对应有不同的双稳特性第83-85页
   ·含两个非线性缺陷层的光子晶体双稳特性分析第85-102页
     ·不同耦合模对应的晶体双稳特性分析第85-90页
     ·缺陷层厚度对于晶体双稳特性的影响第90-93页
     ·缺陷层位置对于晶体双稳特性的影响第93-95页
     ·入射波长对于晶体双稳特性的影响第95-100页
     ·缺陷层间距对于晶体双稳特性的影响第100-102页
   ·本章小结第102-104页
第五章 一维光子晶体中的慢波结构第104-116页
   ·分析慢波结构时常用的传输矩阵法第105-106页
   ·一维光子晶体中的慢波结构性质分析第106-113页
     ·一维慢波结构中的缺陷模导带第107-109页
     ·一维慢波结构中缺陷模导带具有的群速度第109-113页
   ·具有缺陷的慢波结构性质分析第113-115页
     ·具有缺陷的慢波结构中的缺陷模导带性质第113-114页
     ·具有缺陷的慢波结构中的缺陷模导带群速度分析第114-115页
   ·本章小结第115-116页
第六章 总结和展望第116-119页
   ·全文总结第116-117页
   ·工作展望第117-119页
致谢第119-120页
参考文献第120-129页
攻博期间取得的研究成果第129-130页

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