| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-24页 |
| ·研究背景 | 第11-15页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·InGaN材料特性及其应用于光伏领域的优势 | 第12-15页 |
| ·InGaN基太阳电池的研究现状 | 第15-21页 |
| ·结构 | 第15-17页 |
| ·电流扩展层 | 第17-18页 |
| ·量子效率 | 第18页 |
| ·聚光 | 第18-21页 |
| ·InGaN基太阳电池存在的问题 | 第21-22页 |
| ·欧姆接触 | 第21页 |
| ·p-GaN表而缺陷 | 第21页 |
| ·电流扩展层 | 第21-22页 |
| ·芯片尺寸 | 第22页 |
| ·聚光 | 第22页 |
| ·本论文的内容安排 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第二章 半导体太阳电池工作原理、模型及设备简介 | 第24-35页 |
| ·半导体太阳电池工作原理及理论模型 | 第24-27页 |
| ·太阳电池的工作原理 | 第24-25页 |
| ·太阳电池的理论模型 | 第25-27页 |
| ·太阳电池的性能表征参数 | 第27-30页 |
| ·单个太阳下太阳电池的性能表征参数 | 第27-29页 |
| ·聚光太阳电池的各性能参数 | 第29-30页 |
| ·太阳电池制备工艺主要设备及性能测试系统 | 第30-32页 |
| ·光刻机 | 第30-31页 |
| ·刻蚀 | 第31-32页 |
| ·太阳电池性能的测试 | 第32-34页 |
| ·空气质量和太阳光谱 | 第33页 |
| ·测试系统 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 p-GaN欧姆接触的优化 | 第35-42页 |
| ·金属-半导体接触 | 第35-36页 |
| ·比接触电阻及其测量 | 第36-38页 |
| ·p-GaN接触的制备及测量结果 | 第38-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 InGaN/GaN多量子阱太阳电池的结构及制备 | 第42-53页 |
| ·InGaN/GaN多量了阱外延片表征 | 第42-45页 |
| ·InGaN/GaN多量子阱太阳电池的制备 | 第45-52页 |
| ·外延片背而减薄、研磨 | 第45页 |
| ·外延片表而清洗 | 第45-46页 |
| ·台而刻蚀 | 第46-48页 |
| ·电流扩展层ITO工艺 | 第48-49页 |
| ·n-电极与p-电极制备 | 第49-50页 |
| ·太阳电池芯片 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 InGaN/GaN多量子阱太阳电池的光伏特性 | 第53-68页 |
| ·ITO电流扩展层对InGaN/GaN多量子阱太阳电池的影响 | 第53-56页 |
| ·p-GaN表而V型坑(V-pit)密度对太阳电池性能的影响 | 第56-58页 |
| ·含ITO电流扩展层的InGaN/GaN多量子阱太阳电池的聚光特性 | 第58-65页 |
| ·含ITO电流扩展层的InGaN/GaN多量子阱太阳电池在一个太阳下的特性 | 第58-62页 |
| ·含ITO电流扩展层的InGaN/GaN多量子阱太阳电池的聚光特性 | 第62-65页 |
| ·芯片尺寸对InGaN/GaN多量子阱太阳电池电流密度-电压特性的影响 | 第65-66页 |
| ·本章小结 | 第66-68页 |
| 第六章 结论及展望 | 第68-70页 |
| ·本论文的主要研究内容及结论 | 第68-69页 |
| ·不足之处及展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第79页 |
