磁控溅射法制备ZnO薄膜及光电导探测器的研制
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| ·ZnO的研究 | 第9-11页 |
| ·ZnO的结构和性质 | 第9-10页 |
| ·ZnO的能带结构及其固有缺陷 | 第10-11页 |
| ·ZnO基紫外探测器的研究 | 第11-15页 |
| ·光电导型紫外光探测器 | 第13-14页 |
| ·光伏型紫外光电探测器 | 第14-15页 |
| ·论文的研究意义 | 第15-16页 |
| ·论文的研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 ZnO薄膜的制备和测试方法 | 第17-29页 |
| ·磁控溅射法制备ZnO薄膜的原理和特点 | 第17-24页 |
| ·磁控溅射原理 | 第17-20页 |
| ·磁控溅射的过程 | 第20-22页 |
| ·射频磁控溅射特点 | 第22页 |
| ·设备简述 | 第22-23页 |
| ·样品制备 | 第23-24页 |
| ·薄膜的生长过程 | 第24-25页 |
| ·检测方法和原理 | 第25-28页 |
| ·晶体结构的分析 | 第25页 |
| ·表面形貌的分析 | 第25-27页 |
| ·光学性能的测量 | 第27页 |
| ·电学性能的测量 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 制备工艺对薄膜性能的影响 | 第29-52页 |
| ·衬底温度对ZnO薄膜特性的影响 | 第29-35页 |
| ·SEM的分析 | 第29-30页 |
| ·XRD的分析 | 第30-33页 |
| ·电学性能的分析 | 第33-34页 |
| ·光学性能的分析 | 第34-35页 |
| ·溅射功率对ZnO薄膜特性的影响 | 第35-41页 |
| ·SEM分析 | 第36-37页 |
| ·XRD的分析 | 第37-39页 |
| ·电学性能的分析 | 第39-40页 |
| ·光学性能的分析 | 第40-41页 |
| ·工作压强对ZnO薄膜特性的影响 | 第41-46页 |
| ·SEM的分析 | 第41-42页 |
| ·XRD的分析 | 第42-44页 |
| ·电学性能的分析 | 第44-45页 |
| ·光学性能的分析 | 第45-46页 |
| ·退火温度对ZnO薄膜特性的影响 | 第46-50页 |
| ·SEM的分析 | 第47页 |
| ·XRD的分析 | 第47-49页 |
| ·电学性能的分析 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 ZnO基光电导探测器的制备和性能表征 | 第52-59页 |
| ·探测器的基本原理 | 第52-53页 |
| ·探测器的制备 | 第53-54页 |
| ·光谱响应相应特性 | 第54-55页 |
| ·Ⅰ-Ⅴ特性分析 | 第55-56页 |
| ·响应时间特性 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 总结和展望 | 第59-62页 |
| ·总结 | 第59-60页 |
| ·展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 攻读硕士学位期间的科研成果 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
