相变存储器存储单元结构与工艺研究

摘要	第1-5页
ABSTRACT	第5-8页
1 绪论	第8-18页
·论文背景及研究意义	第8-10页
·几种新兴的非易失性存储器	第10-11页
·最具潜力的下一代存储器—相变存储器	第11-15页
·本文的主要研究目的，内容及组织结构	第15-18页
2 相变存储器功能芯片控制电路设计	第18-24页
·一般半导体存储电路架构	第18页
·相变存储器外围控制电路架构	第18-19页
·相变存储器外围控制电路模块设计	第19-22页
·本章小结	第22-24页
3 相变存储器存储单元设计	第24-40页
·影响RESET 电流和功耗的因素	第25-35页
·相变存储器单元结构设计思路	第35-36页
·新型相变存储器单元结构设计	第36-39页
·本章小结	第39-40页
4 相变存储器工艺研究	第40-56页
·工艺流程	第40-44页
·光刻工艺简介	第44-46页
·工艺设备和测试设备	第46-47页
·光刻版版图设计	第47页
·相变存储器单元器件制作流程	第47-55页
·本章小结	第55-56页
5 相变存储器单元性能	第56-60页
·纳秒级相变测试结果	第56-57页
·皮秒级高速相变测试结果	第57-59页
·本章小结	第59-60页
6 总结	第60-61页
致谢	第61-62页
参考文献	第62-66页
附录1 攻读学位期间发表的论文及申请的专利	第66页