| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 研究背景 | 第10-13页 |
| ·单光子探测研究背景及现状 | 第10-11页 |
| ·光子数可分辨探测的研究背景及现状 | 第11-13页 |
| 第二章 近红外单光子探测技术 | 第13-22页 |
| ·InGaAs/InP雪崩光电二极管概述 | 第13-14页 |
| ·基于APD的单光子探测原理 | 第14-15页 |
| ·用于APD单光子探测的抑制电路 | 第15-17页 |
| ·被动抑制模式 | 第16页 |
| ·主动抑制模式 | 第16-17页 |
| ·门脉冲模式 | 第17页 |
| ·门脉冲模式下的噪声抑制技术 | 第17-22页 |
| ·同轴电缆反射平衡方案 | 第17-18页 |
| ·双APD平衡方案 | 第18-19页 |
| ·可调电容平衡方案 | 第19页 |
| ·自差分平衡方案 | 第19-20页 |
| ·正弦门探测方案 | 第20-22页 |
| 第三章 基于光平衡的单光子探测系统 | 第22-30页 |
| ·基于光平衡的单光子探测系统的装置结构及原理 | 第22-25页 |
| ·实验条件 | 第22-23页 |
| ·实验装置及原理 | 第23-25页 |
| ·基于光平衡的单光子探测系统的性能参数测试 | 第25-28页 |
| ·有效门宽的测量 | 第25-26页 |
| ·暗计数的测量 | 第26页 |
| ·后脉冲的测量 | 第26页 |
| ·探测效率的标定 | 第26-28页 |
| ·方案特色与创新 | 第28-30页 |
| 第四章 基于光平衡的光子数可分辨探测 | 第30-43页 |
| ·光子数可分辨探测的基本要求 | 第30-31页 |
| ·基于雪崩光电二极管的光子数可分辨探测的原理 | 第31-32页 |
| ·亚饱和状态下的光子数可分辨探测的研究 | 第32-36页 |
| ·光子数分辨性能的时间相关特性的深入研究 | 第36-43页 |
| ·探测门脉冲与入射光子的相对延时对光子数分辨性能的影响 | 第37-40页 |
| ·探测门脉冲的脉宽对光子数分辨性能的影响 | 第40-43页 |
| 第五章 光子数可分辨探测的应用-量子真随机数发生器 | 第43-51页 |
| ·随机数产生原理 | 第43-44页 |
| ·量子随机数的装置结构 | 第44-45页 |
| ·随机数产生方案 | 第45-51页 |
| ·1bit随机数产生方案 | 第46-48页 |
| ·2bit随机数产生方案 | 第48-51页 |
| 第六章 总结和展望 | 第51-53页 |
| ·本文的工作重点 | 第51-52页 |
| ·展望 | 第52-53页 |
| 附录 | 第53-54页 |
| 硕士期间论文成果及专利 | 第53-54页 |
| Ⅰ 学术论文 | 第53页 |
| Ⅱ 发明专利 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56页 |