| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-13页 |
| 第1章 引言 | 第13-25页 |
| ·在加速器领域研究低温超导技术的驱动力 | 第13-16页 |
| ·粒子物理研究对加速器的需求 | 第13页 |
| ·前沿加速器 | 第13-14页 |
| ·LHC 和ILC | 第14页 |
| ·低温超导加速器 | 第14-16页 |
| ·大晶粒铌超导射频腔 | 第16-20页 |
| ·超导射频腔的优点 | 第16页 |
| ·国际直线对撞机的超导射频腔 | 第16-17页 |
| ·大晶粒铌超导射频腔研究背景和意义 | 第17-20页 |
| ·BEPCII 超导低温系统. | 第20-23页 |
| ·从BEPC 到BEPCII | 第20-22页 |
| ·BEPCII 低温系统冷却过程研究 | 第22-23页 |
| ·本文的组织结构 | 第23-25页 |
| 第2章 超导射频腔基础 | 第25-47页 |
| ·电磁波的传播 | 第25-29页 |
| ·电磁波在真空和绝缘介质中的传播 | 第25-27页 |
| ·有导体存在时的电磁波传播 | 第27-29页 |
| ·谐振腔 | 第29-33页 |
| ·谐振腔内的微波电磁场 | 第29-31页 |
| ·射频能量损耗和谐振腔的参数 | 第31-33页 |
| ·超导体的电磁性质 | 第33-47页 |
| ·超导体的基本电磁现象 | 第34-36页 |
| ·超导体的宏观唯象理论 | 第36-39页 |
| ·超导微观理论 | 第39-41页 |
| ·微波电磁场中的超导电性 | 第41-47页 |
| 第3章 大晶粒铌超导射频腔的加工制造和表面处理 | 第47-69页 |
| ·超导腔的材料选择和腔形优化 | 第47-54页 |
| ·高梯度超导腔研究 | 第47页 |
| ·超导射频腔的材料 | 第47-50页 |
| ·高梯度腔型 | 第50-54页 |
| ·大晶粒铌超导腔的制造 | 第54-58页 |
| ·大晶粒铌片的技术指标 | 第54-56页 |
| ·腔体成形 | 第56-58页 |
| ·大晶粒铌超导腔的表面处理 | 第58-69页 |
| ·机械抛光 | 第58-59页 |
| ·化学抛光(CP)和电解抛光(EP) | 第59-63页 |
| ·退火 | 第63页 |
| ·高压水冲洗 | 第63-65页 |
| ·洁净间装配 | 第65-66页 |
| ·低温烘烤(Baking) | 第66-69页 |
| 第4章 超导射频腔低温垂直测试研究 | 第69-89页 |
| ·谐振腔对激励的反应 | 第69-73页 |
| ·谐振腔的耦合器 | 第69-71页 |
| ·谐振腔的暂态过程 | 第71-72页 |
| ·谐振腔的稳态过程 | 第72-73页 |
| ·谐振腔对低功率矩形射频脉冲波的响应 | 第73页 |
| ·超导射频腔低温垂直测试原理 | 第73-76页 |
| ·脉冲波模式(Pulse mode). | 第73-75页 |
| ·连续波模式 | 第75页 |
| ·超导射频腔性能参数计算 | 第75-76页 |
| ·超导射频腔的低温垂直测试系统 | 第76-86页 |
| ·低电平控制系统和测试系统 | 第76-77页 |
| ·测试系统线路校准 | 第77-79页 |
| ·一个测量过程 | 第79-86页 |
| ·两种测试方法的差别研究 | 第86-89页 |
| 第5章 大晶粒铌超导射频腔的非正常损耗分析 | 第89-109页 |
| ·研究超导腔非正常损耗的方法 | 第89-90页 |
| ·全局评估方法 | 第89-90页 |
| ·局部评估方法 | 第90页 |
| ·场致发射(FE) | 第90-94页 |
| ·场致发射现象 | 第91页 |
| ·场致发射理论 | 第91-92页 |
| ·几何场增强模型 | 第92-93页 |
| ·消除场致发射的方法 | 第93-94页 |
| ·热不稳定性(THERMAL BREAKDOWN) | 第94-99页 |
| ·热不稳定型模型 | 第94页 |
| ·热不稳定性的类型 | 第94-95页 |
| ·估算热不稳定性 | 第95-98页 |
| ·消除热不稳定定性的方法 | 第98-99页 |
| ·大晶粒铌超导腔热不稳定性分析 | 第99页 |
| ·电子倍增效应(MULTIPACTING, MP) | 第99-103页 |
| ·电子倍增效应现象 | 第100页 |
| ·电子倍增效应理论 | 第100页 |
| ·次电子发射 | 第100-101页 |
| ·次电子倍增效应的类型 | 第101-102页 |
| ·大晶粒铌超导腔的MP 分析 | 第102-103页 |
| ·氢中毒 | 第103-106页 |
| ·氢中毒现象 | 第103-104页 |
| ·氢中毒机理 | 第104-105页 |
| ·大晶粒铌超导腔的氢中毒研究和分析 | 第105-106页 |
| ·Q-SLOPE 和磁场增强效应 | 第106-109页 |
| ·Q-slope 现象的机理 | 第107页 |
| ·去除高梯度的Q-slope 和磁场增强效应 | 第107-108页 |
| ·大晶粒铌超导腔Q-Slope 和磁场增强效应分析 | 第108-109页 |
| 第6章 大晶粒铌超导射频腔研究 | 第109-131页 |
| ·EP 对大晶粒铌超导腔的作用 | 第109-120页 |
| ·EP 研究计划 | 第109-110页 |
| ·ChinaLG#1 | 第110-114页 |
| ·ChinaLG#2 | 第114-118页 |
| ·ChinaLG#3 | 第118-119页 |
| ·EP 和Baking 对大晶粒铌超导腔性能的影响 | 第119页 |
| ·大晶粒和多晶粒铌超导腔性能比较研究 | 第119-120页 |
| ·CP 对大晶粒铌超导腔的作用 | 第120-126页 |
| ·CP 研究的计划 | 第120-121页 |
| ·IHEPLG#2 | 第121-123页 |
| ·IHEPLG#1 | 第123-125页 |
| ·IHEPFG#3 | 第125页 |
| ·CP 对于大晶粒铌超导腔性能的影响 | 第125-126页 |
| ·CP 和EP 的大晶粒铌超导腔性能对比研究 | 第126页 |
| ·大晶粒铌和多晶粒铌表面电阻研究 | 第126-129页 |
| ·超导射频腔洛仑兹力试验研究 | 第129-131页 |
| 第7章 BEPCII 超导低温系统研究 | 第131-143页 |
| ·BEPCII 超导低温系统. | 第131-135页 |
| ·超导射频腔 | 第131-132页 |
| ·超导插入四极磁铁 | 第132-134页 |
| ·探测器超导螺线管磁铁 | 第134页 |
| ·超导磁体低温系统 | 第134-135页 |
| ·BEPCII 低温系统的模拟计算研究 | 第135-140页 |
| ·物理模型和计算方法 | 第136-137页 |
| ·计算结果和讨论 | 第137-140页 |
| ·超导磁体系统的初步调试 | 第140-143页 |
| 总结与展望 | 第143-145页 |
| 本文研究工作总结及创新点 | 第143-144页 |
| 今后工作的展望 | 第144-145页 |
| 参考文献 | 第145-150页 |
| 发表文章 | 第150-151页 |
| 致谢 | 第151-152页 |
