| 论文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 引言 | 第9-11页 |
| 第一章 概述 | 第11-18页 |
| ·半导体可饱和吸收材料 | 第11-14页 |
| ·超短光脉冲测量技术 | 第14-16页 |
| ·本论文的主要工作 | 第16-18页 |
| 第二章 半导体可饱和吸收镜实现被动锁模的相关理论 | 第18-32页 |
| ·半导体可饱和吸收镜实现被动锁模原理 | 第18-21页 |
| ·半导体可饱和吸收镜结构和种类 | 第21-25页 |
| ·1.06μm 可饱和吸收体材料选择及 DBR 设计 | 第25-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 皮秒脉宽的自相关二次谐波单次测量法 | 第32-40页 |
| ·自相关二次谐波扫描测量法原理 | 第32-35页 |
| ·自相关二次谐波单次测量法原理 | 第35-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 SESAM 实现脉冲式 Nd:YAG 激光器 被动锁模实验研究 | 第40-46页 |
| ·实验装置 | 第40-41页 |
| ·实验结果与分析 | 第41-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 纳米SI 镶嵌SINX薄膜实现ND~(3+)激光器的被动调 Q 与锁模的研究 | 第46-55页 |
| ·纳米SI 镶嵌SINX薄膜的制备 | 第46-47页 |
| ·纳米Si 薄膜的可饱和吸收特性及其实现 被动调 Q 及锁模原理 | 第47-49页 |
| ·纳米Si 薄膜实现连续 Nd:YVO4激光器的被动调 Q | 第49-52页 |
| ·纳米SI 薄膜实现脉冲ND:YAG 激光器的被动锁模 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 结束语 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 附：硕士期间发表论文 | 第59-60页 |
| 致谢语 | 第60页 |
