| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| ·GaAs 微波功率场效应晶体管和MMIC 的发展及其重要地位 | 第9-11页 |
| ·半导体器件建模的必要性和模型的发展 | 第11-15页 |
| ·半导体器件建模的重要性 | 第11-12页 |
| ·半导体器件建模的发展和现状 | 第12-13页 |
| ·本文采用的半导体建模方法 | 第13-15页 |
| ·本文工作 | 第15-16页 |
| 第二章 GaAs FET 小信号分析 | 第16-27页 |
| ·GaAs FET 小信号模型简介 | 第16-19页 |
| ·小信号模型参数提取 | 第19-26页 |
| ·串联电阻Rs，Rd，Rg 的提取 | 第19-22页 |
| ·寄生电感Ls，Ld，Lg 的提取 | 第22页 |
| ·器件封装引入的寄生电容C_(pg) 和C_(pd) 的提取 | 第22-23页 |
| ·本征电路元件参数的提取 | 第23-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 GaAs 器件的大信号模型分析 | 第27-42页 |
| ·GaAs 器件大信号模型简介 | 第27-29页 |
| ·GaAs 射频功率MESFET 和HEMT 的直流I-V 特性模型 | 第29-32页 |
| ·GaAs 射频功率MESFET 和HEMT 的电容特性模型 | 第32-33页 |
| ·实验验证 | 第33-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 基于 Charlmers 模型的大信号模型分析 | 第42-52页 |
| ·GaAs MESFET 和HEMT 器件的大信号模型参数 | 第42-44页 |
| ·GaAs 器件大信号模型参数函数的建立 | 第44-50页 |
| ·参数模型的验证 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 结论 | 第52-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 附录 | 第58-66页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第66-67页 |
