| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 概述 | 第9-15页 |
| 1-1 课题的背景 | 第9页 |
| 1-2 国内外薄层电阻测试方法综述 | 第9-12页 |
| 1-2-1 接触法测试技术概述 | 第9-11页 |
| 1-2-2 无接触法测试技术概述 | 第11-12页 |
| 1-3 四探针技术的研究现状 | 第12页 |
| 1-4 EIT 技术及其在本课题中的应用 | 第12-13页 |
| 1-5 本论文的主要研究内容 | 第13-15页 |
| 第二章 四探针测试理论研究 | 第15-27页 |
| 2-1 直线四探针法测试原理 | 第15-18页 |
| 2-1-1 直线四探针法的基本原理 | 第15-16页 |
| 2-1-2 直线四探针法的测准条件分析 | 第16-17页 |
| 2-1-3 直线四探针技术测试结果的修正 | 第17页 |
| 2-1-4 直线四探针法的局限性 | 第17-18页 |
| 2-2 改进的范德堡法 | 第18-19页 |
| 2-3 斜置式方形四探针法的研究 | 第19-24页 |
| 2-3-1 斜置式方形Rymaszewski 四探针法基本原理 | 第19-20页 |
| 2-3-2 游移对测试结果的影响 | 第20-23页 |
| 2-3-3 斜置式Rymaszewski 法的厚度修正 | 第23-24页 |
| 2-4 斜置式方形四探针自动测试仪的改进研究 | 第24-26页 |
| 2-5 小结 | 第26-27页 |
| 第三章 无接触法测试技术理论研究 | 第27-39页 |
| 3-1 电阻抗成像技术基本原理 | 第27-28页 |
| 3-2 硅片微区薄层内场域数学基础 | 第28-29页 |
| 3-3 硅片模型的建立和正问题的有限元求解 | 第29-34页 |
| 3-3-1 硅片模型的建立和正问题求解 | 第29-30页 |
| 3-3-2 正问题的等价变分 | 第30页 |
| 3-3-3 有限元的划分 | 第30-33页 |
| 3-3-4 任务划分及编程平台的选取 | 第33-34页 |
| 3-4 逆问题的求解及图像重构的理论基础 | 第34-38页 |
| 3-4-1 逆问题的数学求解 | 第34-36页 |
| 3-4-2 等位线反投影算法 | 第36-38页 |
| 3-5 小结 | 第38-39页 |
| 第四章 电阻抗断层成像系统（EIT）的硬件实现 | 第39-51页 |
| 4-1 概述 | 第39页 |
| 4-2 激励测量模式设置模块设计 | 第39-43页 |
| 4-2-1 电极的选择 | 第39页 |
| 4-2-2 测试方式的选择及注入电流的大小 | 第39-40页 |
| 4-2-3 恒流源模块的设计 | 第40-41页 |
| 4-2-4 模拟开关阵列的设计 | 第41-43页 |
| 4-3 数据采集模块 | 第43-47页 |
| 4-3-1 前置放大电路的设计 | 第43-45页 |
| 4-3-2 A/D 转换电路 | 第45-47页 |
| 4-4 DSP 控制和接口电路 | 第47-50页 |
| 4-4-1 FLASH 存储器的接口及 BOOT 的设计 | 第48-49页 |
| 4-4-2 TMS320VC33 与计算机的接口 | 第49-50页 |
| 4-5 小结 | 第50-51页 |
| 第五章 实验结果与总结展望 | 第51-54页 |
| 5-1 实验结果 | 第51-52页 |
| 5-2 总结 | 第52-53页 |
| 5-3 展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 附录 A | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第59页 |
