集成X射线探测器设计及光光转换薄膜工艺研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·闪烁体X 射线探测器 | 第9-10页 |
| ·CsI:Tl 闪烁体 | 第10-12页 |
| ·CsI:Tl 的发光机制 | 第10-11页 |
| ·CsI:Tl 晶体的优点 | 第11-12页 |
| ·CCD 在X 射线探测中的应用 | 第12-13页 |
| ·研究内容 | 第13-14页 |
| 第二章 CsI:Tl 薄膜光光转换结构的研究 | 第14-24页 |
| ·理想连续层CsI:Tl 薄膜 | 第15-17页 |
| ·理想晶柱结构薄膜 | 第17-19页 |
| ·实际制备的CsI:Tl 薄膜 | 第19-24页 |
| 第三章 CsI:Tl 的光学性能与结构参数的关系 | 第24-38页 |
| ·荧光透过率的影响因素 | 第24-31页 |
| ·理想连续层的荧光透过率 | 第24-25页 |
| ·实际制备薄膜的荧光透过率 | 第25-31页 |
| ·均匀圆孔并忽略反射模型 | 第27-29页 |
| ·均匀圆孔考虑一次反射模型 | 第29-31页 |
| ·空间分辨率的影响因素 | 第31-36页 |
| ·空间分辨率 | 第31-32页 |
| ·调制传递函数MTF | 第32-33页 |
| ·CsI:Tl 转换层的调制传递函数 | 第33-36页 |
| ·X 射线探测器的总体模型设计 | 第36-38页 |
| 第四章 薄膜成核的模拟仿真 | 第38-46页 |
| ·薄膜的形成和生长理论 | 第38-40页 |
| ·薄膜形成的三种模式 | 第39页 |
| ·形核与生长的物理过程 | 第39-40页 |
| ·薄膜成核的模拟仿真 | 第40-46页 |
| ·温度和压强对沉积速率的变化 | 第40-43页 |
| ·沉积速率对临界核心半径和临界核自由能的影响 | 第43-46页 |
| 第五章 CsI:Tl 薄膜制备的工艺研究 | 第46-62页 |
| ·薄膜制备的主要工艺 | 第46-49页 |
| ·真空的定义以及真空区域的划分` | 第46-48页 |
| ·薄膜制备方法 | 第48-49页 |
| ·实验材料和镀膜设备 | 第49-51页 |
| ·CsI:T1 材料 | 第49-50页 |
| ·真空镀膜机（DM-450A） | 第50-51页 |
| ·CsI:T1 薄膜的制备工艺 | 第51-54页 |
| ·衬底的准备 | 第51页 |
| ·钼舟的准备 | 第51页 |
| ·热蒸发制备薄膜的实验条件 | 第51-52页 |
| ·实验过程 | 第52-54页 |
| ·薄膜分析技术 | 第54-55页 |
| ·结果讨论与分析 | 第55-62页 |
| ·真空度对薄膜微结构的影响 | 第55-56页 |
| ·衬底温度对薄膜微结构的影响 | 第56-57页 |
| ·衬底材料对薄膜微结构的影响 | 第57-60页 |
| ·薄膜厚度对结晶生长情况的影响 | 第60-62页 |
| 第六章 结论 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第67-68页 |
