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结构单元与左手材料性能关系研究

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-6页
目录第6-8页
第一章 引言第8-9页
第二章 左手材料及其研究进展第9-32页
 2.1 左手材料第9-10页
 2.2 左手材料的电磁特性第10-16页
  2.2.1 反常Doppler效应第10-11页
  2.2.2 反常Cherenkov辐射第11-12页
  2.2.3 反常Goos-H(a|¨)nchen位移第12页
  2.2.4 负折射效应第12-14页
  2.2.5 完美透镜效应第14-16页
 2.3 左手材料实现与发展第16-26页
  2.3.1 负有效介电常数第16-18页
  2.3.2 负有效磁导率第18-19页
  2.3.3 左手材料的实现第19-23页
  2.3.4 左手材料新的进展第23-26页
 2.4 左手材料应用及展望第26-28页
 参考文献第28-32页
第三章 波导管左手材料的制备与性能测试第32-64页
 3.1 引言第32页
 3.2 模具法制备左手材料第32-47页
  3.2.1 材料制备第32-35页
  3.2.2 SRRs微波性能研究第35-44页
   3.2.1.1 单开口谐振环透射及相位特性第35-37页
   3.2.1.2 开口位置对SRRs透射及相位影响第37-39页
   3.2.1.3 内外环间距对SRRs谐振的影响第39-42页
   3.2.1.4 开口间距g对SRRs谐振行为的影响第42-44页
  3.2.2 Rods微波性能研究第44-45页
  3.2.3 左手材料微波透射行为的研究第45-47页
 3.3 电路板刻蚀法制备左手材料第47-61页
  3.3.1 材料制备第47-48页
  3.3.2 Wires几何参数影响的数值仿真第48-56页
   3.3.2.1 Wire长度l第50-51页
   3.3.2.2 Wire金属厚度t_l第51-53页
   3.3.2.3 Wire金属线宽w第53-54页
   3.3.2.4 Wire基板介电常数ε_r第54-55页
   3.3.2.5 Wire阵列晶格常数α第55-56页
  3.3.3 二维wire阵列第56-59页
   3.3.3.1 二维wire阵列数值仿真第56-58页
   3.3.3.2 二维wire阵列实验结果第58-59页
  3.3.4 介质基板对左手材料的影响实验结果第59-61页
 3.4 本章小结第61-62页
 参考文献第62-64页
第四章 空间左手材料的研究第64-86页
 4.1 引言第64页
 4.2 基于网格金属杆LHMs研究第64-67页
  4.2.1 样品设计与实验装置第64-66页
  4.2.2 样品的测量结果第66-67页
 4.3 工字形杆结构LHMs的研究第67-83页
  4.3.1 工字形杆(CLS)的设计第67页
  4.3.2 负介电常数的实现第67-69页
  4.3.3 不同极化方式电磁波响应第69-70页
  4.3.4 几何参数影响的数值仿真第70-74页
   4.3.4.1 电感臂长度l第70-71页
   4.3.4.2 电容臂宽度w第71-72页
   4.3.4.3 线宽c第72-73页
   4.3.4.4 基板介电常数ε_r第73-74页
  4.3.5 共面型LHMs的实现(in-plane)第74-80页
   4.3.5.1 SRRs连续边与电场平行第74-78页
   4.3.5.2 SRRs连续边与电场垂直第78-80页
  4.3.6 异面型LHMs的实现(off-plane)第80-83页
 4.4 本章小结第83-85页
 参考文献第85-86页
第五章 全文总结第86-88页
攻读硕士学位期间完成的论文及专利第88-89页
致谢第89-90页

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