CMOS/SOI器件和电路的电离辐射效应模拟及实验
| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-13页 |
| ·SOI技术 | 第6-9页 |
| ·SOI的制备技术 | 第7页 |
| ·SOI相对于体硅的技术优势 | 第7-8页 |
| ·部分耗尽与全耗尽SOI器件 | 第8-9页 |
| ·SOI器件的辐射效应 | 第9-11页 |
| ·总剂量效应 | 第9-10页 |
| ·剂量率效应 | 第10页 |
| ·单粒子效应 | 第10-11页 |
| ·课题研究背景及本文的主要工作 | 第11-13页 |
| 第二章 CMOS／SOI单粒子辐射效应模拟计算 | 第13-39页 |
| ·引言 | 第13页 |
| ·单粒子效应及机理 | 第13-19页 |
| ·电荷漏斗模型 | 第13-16页 |
| ·寄生双极晶体管效应 | 第16-18页 |
| ·来自漏和衬底的电荷收集 | 第18-19页 |
| ·SOI中的硬错误 | 第19页 |
| ·CMOS／SOI单粒子效应模拟研究 | 第19-31页 |
| ·单粒子翻转物理一维模型建立 | 第20-25页 |
| ·MEDICI模拟单粒子效应 | 第25-31页 |
| ·抗单粒子翻转的CMOS／SOI器件的设计与模拟 | 第31-37页 |
| ·可偏压隔离阱抗SEU器件原理 | 第32-34页 |
| ·模拟结果 | 第34-36页 |
| ·应用讨论 | 第36-37页 |
| ·小结 | 第37-39页 |
| 第三章 CMOS／SOI总剂量辐射实验 | 第39-55页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·SOI器件的总剂量辐射效应机理 | 第39-43页 |
| ·CMOS／SOI的X射线辐射实验 | 第43-53页 |
| ·实验 | 第44页 |
| ·结果和讨论 | 第44-53页 |
| ·小结 | 第53-55页 |
| 第四章 CMOS／SOI总剂量辐射效应模拟计算 | 第55-69页 |
| ·引言 | 第55页 |
| ·CMOS／SOI总剂量辐射模型的建立及模拟 | 第55-64页 |
| ·总剂量辐射模型 | 第55-58页 |
| ·模拟结果分析 | 第58-64页 |
| ·抗总剂量加固技术研究探讨 | 第64-67页 |
| ·小结 | 第67-69页 |
| 第五章 结论 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-79页 |
| 附录 | 第79-83页 |
| 攻读硕士期间发表论文 | 第83-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 个人简历 | 第85-86页 |
