| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-25页 |
| ·概述 | 第13-14页 |
| ·高强高导铜合金研究与发展现状 | 第14-18页 |
| ·高强高导铜合金的开发原理 | 第14页 |
| ·高强高导铜合金的强化机理 | 第14-16页 |
| ·高强高导铜合金的制备方法 | 第16-17页 |
| ·高强高导铜合金的应用现状 | 第17-18页 |
| ·Cu-Cr系二元合金 | 第18-21页 |
| ·Cu、Cr组元的特性常数 | 第18页 |
| ·Cu-Cr二元合金相图概述 | 第18-20页 |
| ·Cu-Cr二元合金化原理 | 第20页 |
| ·Cu-Cr二元合金应用现状 | 第20页 |
| ·Cu-Cr二元合金时效硬化机理 | 第20-21页 |
| ·Cu-Cr合金沉淀析出相结构的研究 | 第21-23页 |
| ·析出次序 | 第21页 |
| ·析出物的微观结构 | 第21页 |
| ·析出物位向关系 | 第21-22页 |
| ·析出相晶体学关系模型 | 第22-23页 |
| ·本课题研究的目的及意义 | 第23页 |
| ·本课题研究的主要内容 | 第23-24页 |
| ·课题来源 | 第24页 |
| ·本章小节 | 第24-25页 |
| 第二章 固体与分子经验电子理论介绍 | 第25-37页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·基本概念 | 第25-27页 |
| ·EET理论的几个基本假设 | 第27-31页 |
| ·关于分子和固体中原子状态的假定 | 第27-28页 |
| ·关于不连续状态杂化的假定 | 第28-30页 |
| ·关于键距的假定 | 第30页 |
| ·关于等效价电子的假定 | 第30-31页 |
| ·键距差(BLD)法 | 第31-35页 |
| ·BLD法的基本思想 | 第31-33页 |
| ·BLD法 | 第33-35页 |
| ·程氏理论(TFD理论) | 第35-36页 |
| ·本章小节 | 第36-37页 |
| 第三章 材料制备与实验方案 | 第37-41页 |
| ·实验材料与制备 | 第37-38页 |
| ·配料熔铸 | 第37-38页 |
| ·固溶处理 | 第38页 |
| ·时效处理 | 第38页 |
| ·显微组织分析 | 第38页 |
| ·晶格常数测定 | 第38页 |
| ·透射电镜观察 | 第38页 |
| ·性能测试 | 第38-39页 |
| ·硬度测试 | 第39页 |
| ·导电性能测试 | 第39页 |
| ·实验方案 | 第39-40页 |
| ·本章小节 | 第40-41页 |
| 第四章 Cu-Cr合金时效析出特性研究 | 第41-65页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·时效处理对Cu-Cr合金性能的影响 | 第41-48页 |
| ·时效处理对合金显微硬度的影响 | 第42-44页 |
| ·时效处理对合金导电率的影响 | 第44-48页 |
| ·Cu-Cr合金时效析出相变动力学的计算 | 第48-56页 |
| ·合金的导电率与析出相体积分数的关系 | 第49-50页 |
| ·Avrami相变动力学经验方程系数的确定 | 第50-55页 |
| ·分析与讨论 | 第55-56页 |
| ·Cu-Cr合金时效的显微组织与结构 | 第56-63页 |
| ·300℃时效样品 | 第57-59页 |
| ·450℃时效样品 | 第59-61页 |
| ·600℃时效样品 | 第61-63页 |
| ·Cu-Cr合金沉淀析出相结构的确定 | 第63-64页 |
| ·本章小节 | 第64-65页 |
| 第五章 Cu-Cr合金相空间的电子结构计算及分析 | 第65-82页 |
| ·Cu晶胞的电子结构 | 第65-69页 |
| ·Cu晶胞的键络 | 第65页 |
| ·Cu晶胞的键络上的电子分布 | 第65-67页 |
| ·原子状态的确定 | 第67-68页 |
| ·Cu原子状态的描述 | 第68-69页 |
| ·Cr晶胞的电子结构 | 第69-71页 |
| ·Cr晶胞的键络 | 第69页 |
| ·Cr晶胞价电子的计算结果与分析 | 第69-70页 |
| ·Cr原子状态的描述 | 第70页 |
| ·Cu、Cr单质价电子结构的分析 | 第70-71页 |
| ·过饱和固溶体的价电子结构 | 第71-73页 |
| ·Cu-Cr合金过饱和固溶体的价电子结构模型 | 第71-72页 |
| ·过饱和固溶体价电子结构计算结果 | 第72页 |
| ·过饱和固溶体价电子结构的分析 | 第72-73页 |
| ·Cu-Cr相空间的价电子结构 | 第73-77页 |
| ·计算模型 | 第73-74页 |
| ·Cu-Cr晶胞的价电子结构计算 | 第74-75页 |
| ·Cu-Cr晶胞的价电子结构计算结果 | 第75-76页 |
| ·Cu-Cr合金中固溶体晶胞的价电子结构分析 | 第76-77页 |
| ·Cu-Cr合金中各主要析出相的价电子结构 | 第77-81页 |
| ·G.P区晶胞的价电子结构 | 第77-80页 |
| ·析出相晶胞的价电子结构 | 第80-81页 |
| ·本章小节 | 第81-82页 |
| 第六章 Cu-Cr合金异相界面能与表面能的计算和研究 | 第82-90页 |
| ·引言 | 第82-83页 |
| ·计算方法 | 第83-84页 |
| ·键能的计算 | 第83页 |
| ·界面能的计算 | 第83-84页 |
| ·基体与G.P区的界面能 | 第84-87页 |
| ·计算模型 | 第84-86页 |
| ·计算结果 | 第86页 |
| ·分析与讨论 | 第86-87页 |
| ·基体与析出Cr单质的界面能 | 第87-89页 |
| ·计算模型 | 第87-88页 |
| ·计算结果 | 第88-89页 |
| ·分析与讨论 | 第89页 |
| ·本章小节 | 第89-90页 |
| 第七章 Cu-Cr合金异相界面电子结构的计算及分析 | 第90-102页 |
| ·引言 | 第90页 |
| ·G.P区/基体Cu界面的电子结构 | 第90-93页 |
| ·基体Cu的(111)晶面 | 第90-91页 |
| ·G.P区的(001)晶面 | 第91-92页 |
| ·G.P区/基体Cu界面的电子结构 | 第92-93页 |
| ·第二相析出粒子Cr/基体Cu界面的电子结构 | 第93-94页 |
| ·基体Cu的(111)晶面 | 第93页 |
| ·第二相析出粒子Cr晶胞的(110)晶面 | 第93-94页 |
| ·第二相析出粒子Cr/基体Cu界面的电子结构 | 第94页 |
| ·空间界面结构参数 | 第94-100页 |
| ·相结构因子σ_N | 第94-95页 |
| ·相结构因子n_A | 第95-96页 |
| ·相结构因子F | 第96-98页 |
| ·相结构形成因子S | 第98-99页 |
| ·界面结合因子 | 第99-100页 |
| ·本章小节 | 第100-102页 |
| 第八章 结论 | 第102-104页 |
| 致谢 | 第104-105页 |
| 参考文献 | 第105-111页 |
| 附录A 杂化表的建造过程 | 第111-113页 |
| 附录B 原子状态杂化表 | 第113-116页 |
| 附录C 部分元素的屏蔽作用系数b值 | 第116-117页 |
| 附录D 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第117页 |