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多晶硅薄膜制备工艺研究

第一章 绪论第1-21页
 §1.1 太阳能电池的意义——本世纪末有望晋级“替代能源”第8-11页
 §1.2 太阳能电池的发展——稳步走向薄膜化第11-19页
     ·单晶硅太阳能电池第11-13页
     ·多晶硅太阳能电池第13-15页
     ·薄膜太阳能电池第15-19页
 §1.3 小结第19-21页
第二章 多晶硅薄膜的制备方法第21-26页
 §2.1 Si膜沉积方法第21-23页
     ·化学气相沉积法第21-23页
     ·液相外延法第23页
 §2.2 Si膜二次晶化的方法第23-25页
 §2.3 小结第25页
 §2.4 开题思想第25-26页
第三章 PECVD法低温沉积多晶硅薄膜第26-40页
 §3.1 衬底准备第26页
 §3.2 试验设计第26-27页
 §3.3 结果及分析第27-39页
     ·H_2稀释的影响第27-32页
     ·沉积温度的影响第32-34页
     ·射频功率的影响第34-35页
     ·衬底的影响第35-38页
     ·PH_3掺杂的影响第38-39页
 §3.4 结论第39-40页
第四章 硅薄膜的固相晶化第40-49页
 §4.1 试验设计第40页
 §4.2 结果分析第40-47页
     ·常规高温炉与快速光退火比较第40-41页
     ·掺杂对固相晶化的影响第41-44页
     ·固相晶化对材料光学带隙的影响第44-46页
     ·固相晶化的减反射作用第46页
     ·晶化后出现的H_2孔洞第46-47页
 §4.3 小结第47-49页
第五章 结论及下一步设想第49-51页
参考文献第51-58页
致谢第58-59页
发表论文第59页

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