| 摘要 | 第1-11页 |
| Abstract | 第11-13页 |
| 第一章 前言 | 第13-27页 |
| ·微机电起源及发展历程 | 第13-14页 |
| ·微机电系统的特点及应用 | 第14-15页 |
| ·微压力传感器的研究及发展 | 第15-17页 |
| ·微机电加工技术 | 第17-19页 |
| ·体硅微加工及湿法腐蚀 | 第19-26页 |
| ·硅的晶体结构与基本材料性能 | 第19-22页 |
| ·硅的各向同性湿法腐蚀 | 第22-24页 |
| ·硅的各向异性湿法腐蚀 | 第24-26页 |
| ·选题依据以及研究内容 | 第26-27页 |
| ·选题依据 | 第26页 |
| ·本课题主要研究的内容 | 第26-27页 |
| 第二章 实验方法 | 第27-41页 |
| ·实验所用原料与仪器设备 | 第27-28页 |
| ·实验所用原料 | 第27页 |
| ·实验所用仪器设备 | 第27-28页 |
| ·实验技术路线 | 第28页 |
| ·清洗硅片 | 第28-30页 |
| ·制备二氧化硅薄膜 | 第30-33页 |
| ·PECVD沉积二氧化硅膜 | 第30-31页 |
| ·溶胶凝胶法沉积二氧化硅膜 | 第31-32页 |
| ·热氧化制备二氧化硅膜 | 第32-33页 |
| ·光刻工艺制各腐蚀图形 | 第33-34页 |
| ·旋转涂胶 | 第33-34页 |
| ·曝光使光刻胶形成微结构 | 第34页 |
| ·显影去掉曝光光刻胶 | 第34页 |
| ·烘干坚膜 | 第34页 |
| ·光刻效果检查 | 第34页 |
| ·溅射铬电阻 | 第34-35页 |
| ·二氧化硅和铬电阻的ICP腐蚀 | 第35-36页 |
| ·ICP腐蚀二氧化硅的原理及工艺条件 | 第35页 |
| ·ICP腐蚀Cr的原理及工艺条件 | 第35-36页 |
| ·湿法腐蚀硅腔 | 第36-37页 |
| ·湿法腐蚀装置 | 第36页 |
| ·KOH溶液腐蚀硅片 | 第36页 |
| ·TMAH溶液腐蚀硅片 | 第36-37页 |
| ·性能测试 | 第37-40页 |
| ·形貌分析 | 第37-38页 |
| ·腐蚀速度的测定 | 第38页 |
| ·微压力传感器性能的测定 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第三章 结果分析与讨论 | 第41-72页 |
| ·二氧化硅膜的制备及对腐蚀的影响 | 第41-43页 |
| ·二氧化硅膜的形貌分析 | 第41-42页 |
| ·二氧化硅膜对腐蚀的影响 | 第42-43页 |
| ·ICP腐蚀工艺对二氧化硅和铬薄膜腐蚀速率的影响 | 第43-47页 |
| ·ICP腐蚀工艺对二氧化硅腐蚀速率的影响 | 第43-45页 |
| ·ICP腐蚀工艺对铬腐蚀速度的影响 | 第45-47页 |
| ·KOH溶液湿法腐蚀工艺参数对微硅腔腐蚀效果的影响 | 第47-54页 |
| ·硅片腐蚀速度与KOH溶液浓度的关系 | 第48页 |
| ·硅片腐蚀速度和腐蚀温度的关系 | 第48页 |
| ·硅片腐蚀速度和KOH溶液PH值的关系 | 第48-50页 |
| ·加入添加剂对硅片腐蚀速度和KOH溶液PH值的影响 | 第50-51页 |
| ·KOH腐蚀液浓度与硅腔腐蚀形貌的关系 | 第51-54页 |
| ·TMAH溶液湿法腐蚀工艺对硅腔腐蚀的影响 | 第54-67页 |
| ·TMAH腐蚀液浓度对腐蚀速度的影响 | 第54-55页 |
| ·TMAH腐蚀液温度对腐蚀速度的影响 | 第55页 |
| ·加入添加剂过硫酸铵对腐蚀速度的影响 | 第55-57页 |
| ·溶液浓度和PH值的关系 | 第57页 |
| ·溶液温度与PH值的关系 | 第57-58页 |
| ·TMAH溶液浓度、温度对硅腐蚀形貌的影响 | 第58-61页 |
| ·添加剂过硫酸铵和IPA对溶液PH值和腐蚀形貌的影响 | 第61-65页 |
| ·溶液流动对腐蚀形貌的影响 | 第65-67页 |
| ·KOH腐蚀系统和TMAH腐蚀系统的比较 | 第67-68页 |
| ·TMAH溶液腐蚀过程的研究 | 第68-70页 |
| ·TMAH溶液腐蚀反应机理初步研究 | 第68-69页 |
| ·添加剂过硫酸铵对腐蚀的影响 | 第69页 |
| ·过硫酸铵和IPA作用机理的区别 | 第69-70页 |
| ·微压力传感器信号测试 | 第70-72页 |
| ·测量原理 | 第70-71页 |
| ·测量结果及分析 | 第71-72页 |
| 本章小结 | 第72-73页 |
| 结论及展望 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-81页 |
| 攻读硕士期间发表论文 | 第81页 |
