摘要 | 第1-3页 |
Abstract | 第3-7页 |
第一章 引言 | 第7-14页 |
1.1 聚变-裂变混合堆材料表面涂层分析的意义 | 第7-9页 |
1.1.1 聚变反应堆的发展前景 | 第7-8页 |
1.1.2 氚渗问题和防渗屏障层 | 第8-9页 |
1.2 常用深度分析方法概述 | 第9-12页 |
1.3 固体中氧元素的分析方法概述 | 第12页 |
1.4 本工作的研究目标和主要技术路线 | 第12-14页 |
1.4.1 研究目标 | 第12-13页 |
1.4.2 主要技术路线 | 第13-14页 |
第二章 SIMS仪器与样品制备 | 第14-28页 |
2.1 SIMS的发展历史 | 第14-15页 |
2.2 SIMS的工作原理 | 第15-16页 |
2.2.1 二次离子发射的碰撞模型 | 第15页 |
2.2.2 原子团离子的形成机理 | 第15-16页 |
2.3 CAMECA IMS 6F的结构与性能 | 第16-19页 |
2.4 SIMS深度分析 | 第19-20页 |
2.5 SIMS定量的基本描述 | 第20-22页 |
2.5.1 SIMS基本关系式 | 第20-21页 |
2.5.2 考虑了原子团离子的SIMS基本关系式 | 第21-22页 |
2.6 SIMS分析中常用的名词 | 第22-23页 |
2.7 样品制备 | 第23-27页 |
2.7.1 样品基材成分 | 第23-24页 |
2.7.2 样品涂层的形成过程 | 第24-27页 |
2.8 实验过程 | 第27-28页 |
第三章 SIMS深度分析方法研究 | 第28-41页 |
3.1 样品绝缘程度的影响 | 第28页 |
3.2 SIMS深度分析条件的建立 | 第28-35页 |
3.2.1 一次束及其分析参数的选择 | 第28-29页 |
3.2.2 二次离子收集面积的选择 | 第29-30页 |
3.2.3 二次离子测定种类的选择 | 第30页 |
3.2.4 质量分辨率的选择与干扰峰的分离 | 第30-33页 |
3.2.5 质量峰的确认与干扰峰的排除 | 第33-35页 |
3.3 样品的微区代表性研究 | 第35-38页 |
3.4 轰击时间—溅射深度的转换与深度测量 | 第38-41页 |
第四章 测量内容和结果分析 | 第41-67页 |
4.1 SIMS深度分析内容和结果分析 | 第41-61页 |
4.1.1 SIMS Cs~+一次束深度分析中的基本问题 | 第41页 |
4.1.2 深度分析中曲线异常趋势的解释 | 第41-44页 |
4.1.3 SIMS Cs~+一次束深度分析结果 | 第44-53页 |
4.1.4 SIMS O_2~+一次束深度分析结果 | 第53-54页 |
4.1.5 SIMS深度分析中曲线的一些讨论 | 第54-61页 |
4.1.5.1 同元素的单原子离子、双原子离子、三原子离子的基体效应 | 第54-56页 |
4.1.5.2 深度分析中含O线的波动 | 第56-58页 |
4.1.5.3 MCs~+与基体效应 | 第58-61页 |
4.2 SIMS计数率比值法确定涂层不同深度的氧化程度(即O/Al值) | 第61-66页 |
4.2.1 多层结构材料的SIMS定量 | 第61页 |
4.2.2 用计数率比值的方法表征O/Al值 | 第61-63页 |
4.2.3 O/Al值的测量结果 | 第63-66页 |
4.3 本章实验总结 | 第66-67页 |
第五章 与其他分析方法的比较 | 第67-82页 |
5.1 SEM/EPMA分析 | 第67-79页 |
5.1.1 SEM分析结果 | 第67-70页 |
5.1.2 EPMA分析结果 | 第70-76页 |
5.1.2.1 EPMA对样品基材成分的测定 | 第70页 |
5.1.2.2 EPMA深度分析结果 | 第70-74页 |
5.1.2.3 EPMA对氧化程度的评估——EPMA分析结果的O_z/Al_z | 第74-76页 |
5.1.3 SIMS与EPMA分析结果的比较 | 第76-79页 |
5.1.3.1 SIMS与EPMA涂层微结构分析结果的比较 | 第76页 |
5.1.3.2 SIMS与EPMA涂层氧化程度分析结果的比较 | 第76-79页 |
5.2 XPS表面分析 | 第79-82页 |
5.2.1 XPS定量分析和实验条件 | 第79页 |
5.2.2 XPS分析结果 | 第79-82页 |
第六章 结论和建议 | 第82-84页 |
参考文献 | 第84-90页 |
发表文章情况 | 第90-91页 |
附录 | 第91-95页 |
致谢 | 第95页 |