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二次离子质谱(SIMS)分析混合堆材料表面涂层成份深度分布的方法研究

摘要第1-3页
Abstract第3-7页
第一章 引言第7-14页
 1.1 聚变-裂变混合堆材料表面涂层分析的意义第7-9页
  1.1.1 聚变反应堆的发展前景第7-8页
  1.1.2 氚渗问题和防渗屏障层第8-9页
 1.2 常用深度分析方法概述第9-12页
 1.3 固体中氧元素的分析方法概述第12页
 1.4 本工作的研究目标和主要技术路线第12-14页
  1.4.1 研究目标第12-13页
  1.4.2 主要技术路线第13-14页
第二章 SIMS仪器与样品制备第14-28页
 2.1 SIMS的发展历史第14-15页
 2.2 SIMS的工作原理第15-16页
  2.2.1 二次离子发射的碰撞模型第15页
  2.2.2 原子团离子的形成机理第15-16页
 2.3 CAMECA IMS 6F的结构与性能第16-19页
 2.4 SIMS深度分析第19-20页
 2.5 SIMS定量的基本描述第20-22页
  2.5.1 SIMS基本关系式第20-21页
  2.5.2 考虑了原子团离子的SIMS基本关系式第21-22页
 2.6 SIMS分析中常用的名词第22-23页
 2.7 样品制备第23-27页
  2.7.1 样品基材成分第23-24页
  2.7.2 样品涂层的形成过程第24-27页
 2.8 实验过程第27-28页
第三章 SIMS深度分析方法研究第28-41页
 3.1 样品绝缘程度的影响第28页
 3.2 SIMS深度分析条件的建立第28-35页
  3.2.1 一次束及其分析参数的选择第28-29页
  3.2.2 二次离子收集面积的选择第29-30页
  3.2.3 二次离子测定种类的选择第30页
  3.2.4 质量分辨率的选择与干扰峰的分离第30-33页
  3.2.5 质量峰的确认与干扰峰的排除第33-35页
 3.3 样品的微区代表性研究第35-38页
 3.4 轰击时间—溅射深度的转换与深度测量第38-41页
第四章 测量内容和结果分析第41-67页
 4.1 SIMS深度分析内容和结果分析第41-61页
  4.1.1 SIMS Cs~+一次束深度分析中的基本问题第41页
  4.1.2 深度分析中曲线异常趋势的解释第41-44页
  4.1.3 SIMS Cs~+一次束深度分析结果第44-53页
  4.1.4 SIMS O_2~+一次束深度分析结果第53-54页
  4.1.5 SIMS深度分析中曲线的一些讨论第54-61页
   4.1.5.1 同元素的单原子离子、双原子离子、三原子离子的基体效应第54-56页
   4.1.5.2 深度分析中含O线的波动第56-58页
   4.1.5.3 MCs~+与基体效应第58-61页
 4.2 SIMS计数率比值法确定涂层不同深度的氧化程度(即O/Al值)第61-66页
  4.2.1 多层结构材料的SIMS定量第61页
  4.2.2 用计数率比值的方法表征O/Al值第61-63页
  4.2.3 O/Al值的测量结果第63-66页
 4.3 本章实验总结第66-67页
第五章 与其他分析方法的比较第67-82页
 5.1 SEM/EPMA分析第67-79页
  5.1.1 SEM分析结果第67-70页
  5.1.2 EPMA分析结果第70-76页
   5.1.2.1 EPMA对样品基材成分的测定第70页
   5.1.2.2 EPMA深度分析结果第70-74页
   5.1.2.3 EPMA对氧化程度的评估——EPMA分析结果的O_z/Al_z第74-76页
  5.1.3 SIMS与EPMA分析结果的比较第76-79页
   5.1.3.1 SIMS与EPMA涂层微结构分析结果的比较第76页
   5.1.3.2 SIMS与EPMA涂层氧化程度分析结果的比较第76-79页
 5.2 XPS表面分析第79-82页
  5.2.1 XPS定量分析和实验条件第79页
  5.2.2 XPS分析结果第79-82页
第六章 结论和建议第82-84页
参考文献第84-90页
发表文章情况第90-91页
附录第91-95页
致谢第95页

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