| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-21页 |
| 1.1 新型存储技术 | 第8-10页 |
| 1.2 磁存储技术 | 第10-11页 |
| 1.3 磁电阻效应和磁性隧道结 | 第11-13页 |
| 1.4 自旋转移力矩效应及其基本原理 | 第13-15页 |
| 1.5 自旋轨道力矩效应及基于自旋转移力矩的磁随机存储器 | 第15-17页 |
| 1.6 自旋逻辑的进展及工作意义 | 第17-18页 |
| 1.7 论文主要内容 | 第18-19页 |
| 1.8 论文内容安排 | 第19-21页 |
| 2 微磁学理论基础 | 第21-28页 |
| 2.1 磁性系统中的能量 | 第21-23页 |
| 2.2 LLG方程 | 第23-25页 |
| 2.3 微磁学模拟软件OOMMF | 第25页 |
| 2.4 微磁学动力学 | 第25-27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-28页 |
| 3 可互联磁性多数门器件的微磁学模拟 | 第28-43页 |
| 3.1 局域电流导致的磁化翻转 | 第29-31页 |
| 3.2 多数门逻辑器件简介 | 第31-32页 |
| 3.3 磁性多数门器件的结构及工作原理 | 第32-36页 |
| 3.4 SOT的运用实现单个器件中的反相器 | 第36-37页 |
| 3.5 器件之间互联的实现 | 第37-40页 |
| 3.6 复杂逻辑功能的实现 | 第40-42页 |
| 3.7 本章小结 | 第42-43页 |
| 4 器件的实用性分析及性能比较 | 第43-52页 |
| 4.1 器件的实际结构 | 第43-44页 |
| 4.2 杂散场的计算及其对器件工作的影响 | 第44-46页 |
| 4.3 器件尺寸的缩小以及功耗的计算 | 第46-47页 |
| 4.4 CMMG与 STMG、CMOS等器件的比较 | 第47-50页 |
| 4.5 本章小结 | 第50-52页 |
| 5 结论与展望 | 第52-55页 |
| 5.1 结论 | 第52-53页 |
| 5.2 展望 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 附录1 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第61页 |