| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-9页 |
| 引言 | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-20页 |
| 第一节 半导体量子点的 Stranski-Krastanow 生长模式 | 第13-15页 |
| 第二节 生长参数对表面岛大小形状的影响 | 第15-16页 |
| 第三节 多层生长中半导体量子点的自组装 | 第16-19页 |
| 第四节 本论文的主要研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 半无限空间中埋藏岛产生的应变场 | 第20-34页 |
| 第一节 零维点力偶极子产生的应变场 | 第21-26页 |
| 第二节 二维薄块产生的表面应变场 | 第26-32页 |
| 第三节 长方体产生的表面应变场 | 第32-33页 |
| 第四节 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 表面应变场对埋藏岛尺寸形状的依赖特性 | 第34-47页 |
| 第一节 薄块引起的表面应变场分布 | 第35-40页 |
| 第二节 金字塔形岛引起的表面应变场分布 | 第40-46页 |
| 第三节 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 半导体量子点系统中应变调制的自组装 | 第47-60页 |
| 第一节 量子点系统中岛的局部自组装 | 第48-52页 |
| 第二节 多层异质外延生长中量子点的自组装 | 第52-58页 |
| 第三节 本章小结 | 第58-60页 |
| 第五章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 第一节 总结 | 第60-61页 |
| 第二节 展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-69页 |
| 攻读硕士学位期间已公开发表的论文 | 第69-70页 |
| 致 谢 | 第70-71页 |
| 提要 | 第71-89页 |