| 第一章 前言 | 第1-13页 |
| ·RTP和RTCVD研发状况 | 第7-11页 |
| ·研究目的及主要研究内容 | 第11-13页 |
| 第二章 RTCVD设备 | 第13-19页 |
| ·反应室 | 第13-14页 |
| ·供气系统 | 第14-15页 |
| ·真空机组及真空检测系统 | 第15-16页 |
| ·水循环系统 | 第16-17页 |
| ·温度控制系统 | 第17页 |
| ·尾气处理系统 | 第17-19页 |
| 第三章 加热装置 | 第19-35页 |
| ·升温过程中的能量计算 | 第19-21页 |
| ·辐射加热器的结构设计 | 第21-31页 |
| ·衬底托的选择及减反射处理 | 第31-33页 |
| ·温度测量 | 第33-35页 |
| 第四章 用RTCVD生长SiC薄膜的工艺 | 第35-41页 |
| ·碳化硅薄膜的生长机理 | 第35-37页 |
| ·衬底准备 | 第37-39页 |
| ·试验工艺 | 第39-41页 |
| 第五章 结束语 | 第41-42页 |
| ·总结 | 第41页 |
| ·对今后工作的一些设想 | 第41-42页 |
| 致谢 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-47页 |
| 附录 | 第47页 |