| 前言 | 第1-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-26页 |
| ·PTCR材料的发展动态 | 第8-12页 |
| ·高分子PTCR材料 | 第8-9页 |
| ·V2O3基PTCR材料 | 第9-10页 |
| ·高膨胀PTCR陶瓷 | 第10-11页 |
| ·BaPbO3陶瓷 | 第11-12页 |
| ·PTC效应理论模型的发展 | 第12-18页 |
| ·相变应力模型 | 第12-13页 |
| ·Heywang-Jonker模型 | 第13-15页 |
| ·Daniels钡空位模型 | 第15页 |
| ·Desu的界面析出模型 | 第15-16页 |
| ·其他PTC理论 | 第16-18页 |
| ·降低BaTiO3陶瓷室温电阻率的途径 | 第18-24页 |
| ·原料选择 | 第18页 |
| ·通过施主、受主掺杂而实现BaTiO3基PTCR陶瓷的低阻化 | 第18-19页 |
| ·其他改性添加物 | 第19-20页 |
| ·控制材料粒径 | 第20页 |
| ·不同形式添加剂 | 第20-21页 |
| ·制备工艺对低阻化的影响 | 第21页 |
| ·与低阻相复合 | 第21-24页 |
| ·课题的提出 | 第24-26页 |
| 第二章 实验及研究方法 | 第26-30页 |
| ·配方及工艺 | 第26-29页 |
| ·原料的组成与选择 | 第26页 |
| ·工艺设计 | 第26-29页 |
| ·测试与分析 | 第29-30页 |
| 第三章 结果与讨论 | 第30-54页 |
| ·金属Ni对材料性能的影响 | 第30-35页 |
| ·金属Ni含量对复合材料室温电阻率的影响 | 第30-33页 |
| ·金属Ni含量对复合材料PTC性能的影响 | 第33-34页 |
| ·金属Ni含量对复合材料耐电压性能的影响 | 第34-35页 |
| ·石墨对复合材料性能的影响 | 第35-40页 |
| ·石墨含量对复合材料的室温电阻率的影响 | 第35-38页 |
| ·石墨含量对复合材料PTC性能的影响 | 第38-40页 |
| ·添加物对复合材料阻温系数(α)的影响 | 第40-41页 |
| ·工艺条件对复合材料性能的影响 | 第41-50页 |
| ·排胶工艺 | 第41-43页 |
| ·保护气氛 | 第43-46页 |
| ·烧成制度 | 第46-49页 |
| ·保温时间 | 第49-50页 |
| ·复合PTC材料的导电机理与显微结构模型 | 第50-54页 |
| 第四章 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |