| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 符号表 | 第9-10页 |
| 缩略词 | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-26页 |
| 1．1 功率集成电路的发展 | 第11-16页 |
| 1．2 功率器件的发展现状 | 第16-25页 |
| 1．2．1 RESURF原理 | 第16-18页 |
| 1．2．2 SOI耐压结构 | 第18-21页 |
| 1．2．3 SOI功率器件 | 第21-25页 |
| 1．3 本论文的主要工作 | 第25-26页 |
| 第二章 SOI RESURF结构解析模型 | 第26-41页 |
| 2．1 一般薄膜SOI RESURF结构击穿机制 | 第26页 |
| 2．2 击穿电压解析模型的发展与现状 | 第26-28页 |
| 2．3 针对薄膜SOI RESURF结构新的解析模型 | 第28-36页 |
| 2．3．1 漂移区中表面电势与电场分布 | 第28-32页 |
| 2．3．2 漂移区的表面电势与电场计算分析 | 第32-36页 |
| 2．4 漂移区击穿电压 | 第36-40页 |
| 2．4．1 漂移区击穿电压解析计算 | 第36-38页 |
| 2．4．2 漂移区击穿电压解析分析 | 第38-40页 |
| 2．5 小结 | 第40-41页 |
| 第三章 SOI RESURF结构共享电荷原理分析 | 第41-50页 |
| 3．1 共享电荷原理 | 第41-44页 |
| 3．1．1 水平突变pn结 | 第41-43页 |
| 3．1．2 垂直类MOS电容结构 | 第43-44页 |
| 3．2 SOI RESURF原理 | 第44-46页 |
| 3．3 击穿电压分析 | 第46-49页 |
| 3．4 小结 | 第49-50页 |
| 第四章 图形化SOI LDMOS | 第50-74页 |
| 4．1 功率LDMOS的射频应用与研究 | 第50-52页 |
| 4．2 SOI器件浮体效应 | 第52-57页 |
| 4．2．1 浮体效应对于SOI器件的影响 | 第52-53页 |
| 4．2．2 克服浮体效应的工艺措施 | 第53-54页 |
| 4．2．3 体接触结构抑制浮体效应 | 第54-57页 |
| 4．3 自热效应 | 第57-59页 |
| 4．3．1 新型SOI材料 | 第58页 |
| 4．3．2 图形化SOI(PSOI：Patterned SOI) | 第58-59页 |
| 4．4 结合浅沟槽隔离的图形化SOI LDMOS | 第59-62页 |
| 4．5 图形化SOI LDMOS电学行为表征 | 第62-73页 |
| 4．6 小结 | 第73-74页 |
| 第五章 功率SOI LDMOS制备与表征 | 第74-86页 |
| 5．1 材料准备 | 第75页 |
| 5．2 器件设计 | 第75-79页 |
| 5．2．1 版图设计 | 第76页 |
| 5．2．2 工艺设计 | 第76-79页 |
| 5．3 器件测试分析 | 第79-85页 |
| 5．3．1 阈值电压 | 第81-82页 |
| 5．3．2 关态击穿电压 | 第82页 |
| 5．3．3 输出特性曲线 | 第82-84页 |
| 5．3．4 泄漏电流 | 第84-85页 |
| 5．4 小结 | 第85-86页 |
| 第六章 叠层栅介质TDDB漏电流研究 | 第86-95页 |
| 6．1 栅介质的TDDB击穿测试 | 第87页 |
| 6．2 本征击穿机理 | 第87-89页 |
| 6．3 叠层栅介质泄漏电流 | 第89-94页 |
| 6．3．1 等效势垒法 | 第91-92页 |
| 6．3．2 计算与分析 | 第92-94页 |
| 6．4 小结 | 第94-95页 |
| 第七章 结论 | 第95-97页 |
| 文献 | 第97-108页 |
| 附录 | 第108-110页 |
| 致谢 | 第110-111页 |