| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·稀磁半导体的研究历史 | 第11-13页 |
| ·GaAs基稀磁半导体(Ga,Mn)As的基本特性 | 第13-17页 |
| ·GaN基宽带隙稀磁半导体(Ga,Mn)N | 第17-20页 |
| 参考文献 | 第20-21页 |
| 第二章 一维电子结构的数值计算方法 | 第21-32页 |
| ·打靶计算法 | 第21-23页 |
| ·转移矩阵法 | 第23-24页 |
| ·平面波展开法 | 第24-26页 |
| ·自洽求解法 | 第26-28页 |
| ·KP计算法 | 第28-30页 |
| 参考文献 | 第30-32页 |
| 第三章 Mn掺杂GaAs/p-AlGaAs铁磁异质结中二维空穴气双受主行为的研究 | 第32-42页 |
| ·引言 | 第32页 |
| ·理论模型 | 第32-36页 |
| ·结果与讨论 | 第36-40页 |
| ·载流子极化度对温度的依赖 | 第36页 |
| ·体系居里温度分别对Be杂质浓度和Mn替位掺杂浓度的依赖 | 第36-38页 |
| ·势垒中Be delta掺杂对异质结居里温度的优化 | 第38-40页 |
| ·结论 | 第40页 |
| 参考文献 | 第40-42页 |
| 第四章 Mn选择性delta掺杂GaAs/AlGaAs量子阱居里温度的电场调制 | 第42-53页 |
| ·引言 | 第42-43页 |
| ·理论方法 | 第43-46页 |
| ·居里温度计算公式的推导 | 第43-45页 |
| ·计算模型 | 第45-46页 |
| ·结果与讨论 | 第46-51页 |
| ·未加电场的自洽计算的势能图像和波函数 | 第46-47页 |
| ·外加电场对同一量子阱不同掺杂位置居里温度的调制 | 第47-49页 |
| ·外加电场对同一掺杂位子不同量子阱居里温度的调制 | 第49-50页 |
| ·不同阱宽对临界电场的影响 | 第50-51页 |
| ·结论 | 第51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 第五章 InGaN/GaMnN铁磁共振隧穿二极管自旋极化性质的研究 | 第53-63页 |
| ·引言 | 第53-54页 |
| ·器件结构和计算方法 | 第54-56页 |
| ·结果与讨论 | 第56-60页 |
| ·量子阱中不同的In掺杂浓度对I-V特性的影响 | 第56-59页 |
| ·温度对铁磁共振隧穿二极管的I-V特性和电流极化度的影响 | 第59-60页 |
| ·结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 第六章 结论 | 第63-65页 |
| 附录 发表论文和科研情况说明 | 第65-66页 |
| 后记 | 第66页 |
