GaN肖特基器件电学性质的模拟研究
| 中文摘要 | 第1-11页 |
| ABSTRACT | 第11-12页 |
| 符号说明 | 第12-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-33页 |
| ·紫外探测器 | 第14-15页 |
| ·紫外探测器的发展 | 第15-17页 |
| ·GaN基紫外探测器的分类与性能 | 第17-25页 |
| ·光导探测器 | 第17-18页 |
| ·光伏探测器 | 第18-25页 |
| ·肖特基器件 | 第19-21页 |
| ·MSM器件 | 第21-23页 |
| ·p-n,p-i-n型探测器 | 第23-24页 |
| ·GaN雪崩器件 | 第24-25页 |
| ·GaN基材料的物理特性 | 第25-28页 |
| ·GaN基材料的结构特性 | 第25-27页 |
| ·GaN基材料的能带结构 | 第27-28页 |
| ·GaN材料的电学特性 | 第28页 |
| ·研究内容及论文的安排 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-33页 |
| 第二章 ISE TCAD软件介绍 | 第33-45页 |
| ·TCAD的发展 | 第33-34页 |
| ·ISE TCAD软件的简介 | 第34-44页 |
| ·工艺模拟 | 第34-35页 |
| ·器件模拟 | 第35-44页 |
| ·DEVISE简介 | 第37-38页 |
| ·DESSIS简介 | 第38-41页 |
| ·INSPECT简介 | 第41-42页 |
| ·Tecplot-ISE简介 | 第42-44页 |
| ·TCAD在半导体行业中的应用 | 第44页 |
| 参考文献 | 第44-45页 |
| 第三章 肖特基器件电学性质的研究 | 第45-63页 |
| ·金属-半导体接触概述 | 第45-47页 |
| ·欧姆接触 | 第45-46页 |
| ·肖特基势垒接触 | 第46-47页 |
| ·肖特基器件电流传输的物理机制 | 第47-50页 |
| ·提高肖特基势垒高度的方法 | 第50-51页 |
| ·理论模型的选择及其分析描述 | 第51-54页 |
| ·仿真结果及分析 | 第54-61页 |
| ·电流-电压特性的仿真结果分析 | 第55-59页 |
| ·不同厚度界面层的正向I-V特性 | 第55-56页 |
| ·不同厚度界面层的反向I-V特性 | 第56-57页 |
| ·不同厚度本征层的正向I-V特性 | 第57-58页 |
| ·不同厚度本征层的反向I-V特性 | 第58-59页 |
| ·电场特性的模拟结果及分析 | 第59-61页 |
| ·不同厚度界面层器件的电场特性 | 第59-60页 |
| ·不同厚度本征层器件的电场特性 | 第60-61页 |
| ·小结 | 第61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 第四章 GaN雪崩器件电学性质的模拟 | 第63-77页 |
| ·引言 | 第63-64页 |
| ·GaN基雪崩光电二极管的研究现状 | 第64-65页 |
| ·光电二极管的暗电流机制 | 第65-66页 |
| ·GaN的p型掺杂问题 | 第66-68页 |
| ·仿真模型结构描述 | 第68-70页 |
| ·仿真结果分析讨论 | 第70-73页 |
| ·小结 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-77页 |
| 第五章 结论 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第79-80页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第80页 |
