氧化铟锡薄膜的电子束蒸发制备及其电学性质的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·ITO薄膜简介 | 第12-13页 |
| ·ITO薄膜的应用 | 第13-14页 |
| ·ITO薄膜的发展前景 | 第14-16页 |
| 参考文献 | 第16-17页 |
| 第二章 ITO薄膜的制备 | 第17-28页 |
| ·真空蒸发沉积原理 | 第17-18页 |
| ·真空蒸发系统 | 第18-23页 |
| ·薄膜厚度和沉积速率的控制 | 第23-24页 |
| ·薄膜生长的主要工艺参数 | 第24-27页 |
| 参考文献 | 第27-28页 |
| 第三章 薄膜结构和性能测试 | 第28-38页 |
| ·膜厚的测量 | 第28-29页 |
| ·四探针法测量薄膜的方阻 | 第29-30页 |
| ·分光光度计测量薄膜透射率 | 第30-31页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第31-32页 |
| ·X射线散射(XRD)的原理 | 第32-33页 |
| ·薄膜电学性能的测量 | 第33-37页 |
| 参考文献 | 第37-38页 |
| 第四章 实验 | 第38-47页 |
| ·基片的选择 | 第38页 |
| ·电子束蒸发制备ITO薄膜 | 第38-39页 |
| ·光刻工艺 | 第39-44页 |
| ·湿法刻蚀 | 第44页 |
| ·退火设备简介 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-47页 |
| 第五章 实验结果及其讨论 | 第47-65页 |
| ·退火对ITO薄膜电阻率的影响 | 第47-48页 |
| ·退火对ITO薄膜透射率的影响 | 第48-49页 |
| ·ITO薄膜XRD数据分析 | 第49-51页 |
| ·ITO薄膜的XPS分析 | 第51-53页 |
| ·TCR测量及讨论 | 第53-56页 |
| ·响应因子的计算 | 第56-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 总结与展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第66-67页 |
| 本人在硕士期间发表和完成的文章 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
