| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-17页 |
| ·研究背景 | 第8-9页 |
| ·研究锗硅低维量子结构的意义 | 第9-10页 |
| ·硅衬底上锗的外延生长 | 第10-14页 |
| ·锗硅材料的基本性质 | 第10-11页 |
| ·Ge在Si(001)上的外延生长 | 第11-14页 |
| ·本论文内容简介 | 第14-15页 |
| 参考文献 | 第15-17页 |
| 第二章 锗硅分子束外延生长技术与表面分析技术 | 第17-35页 |
| ·锗硅的分子束外延生长技术 | 第17-24页 |
| ·分子束外延技术简介 | 第17-18页 |
| ·锗硅分子束外延系统 | 第18-20页 |
| ·生长速率的标定 | 第20-22页 |
| ·硅衬底片的清洗 | 第22-24页 |
| ·表面分析技术 | 第24-33页 |
| ·原子力显微镜 | 第24-25页 |
| ·反射式高能电子衍射仪 | 第25-26页 |
| ·透射电子显微镜 | 第26-30页 |
| ·Raman光谱 | 第30-31页 |
| ·X射线衍射 | 第31-33页 |
| 参考文献 | 第33-35页 |
| 第三章 锗硅量子点的组分和应变分布 | 第35-48页 |
| ·引言 | 第35-37页 |
| ·锗硅量子点的制备 | 第37-40页 |
| ·通过高分辨TEM图像分析单个量子点组分和应变分布的原理 | 第40-41页 |
| ·实验结果与讨论 | 第41-45页 |
| ·结论 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-48页 |
| 第四章 初始覆盖硅层对量子点的组分和应变的影响 | 第48-61页 |
| ·样品的制备 | 第48-49页 |
| ·初始覆盖硅层引起的量子点的形貌变化 | 第49-51页 |
| ·从Raman光谱的峰位计算量子点的平均Ge组分和平均应变 | 第51-53页 |
| ·实验结果与讨论 | 第53-58页 |
| ·结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 第五章 在锗硅量子点上低温生长硅覆盖层中的面缺陷 | 第61-74页 |
| ·锗硅材料中的位错 | 第61-62页 |
| ·样品的制备 | 第62-64页 |
| ·高分辨TEM实验结果与讨论 | 第64-71页 |
| ·结论 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-74页 |
| 第六章 高温退火对低温生长硅覆盖层的影响 | 第74-81页 |
| ·样品的制备 | 第74-76页 |
| ·实验结果与讨论 | 第76-79页 |
| ·结论 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-81页 |
| 攻读博士学位期间完成的论文 | 第81-82页 |
| 攻读博士学位期间参加的学术会议 | 第82-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |